[Ηλεκτρονική ΙΙΙ] Σχεδιαστική εργασία 2017

[Thmmy.gr portal]

  Thmmy.gr portal
   Forum
   Downloads
   Ενεργ. Λογαριασμού
   Επικοινωνία
  
  Χρήσιμα links
   Σελίδα τμήματος
   Βιβλιοθήκη Τμήματος
   Elearning
   Φοιτητικά fora
   Πρόγραμμα Λέσχης
   Πρακτική Άσκηση
   Ηλεκτρονική Εξυπηρέτηση Φοιτητών
   Διανομή Συγγραμμάτων
   Ψηφιακό Καταθετήριο Διπλωματικών
   Πληροφορίες Καθηγητών
   Instagram @thmmy.gr
   mTHMMY
  
  Φοιτητικές Ομάδες
   ACM
   Aristurtle
   ART
   ASAT
   BEAM
   BEST Thessaloniki
   EESTEC LC Thessaloniki
   EΜΒ Auth
   IAESTE Thessaloniki
   IEEE φοιτητικό παράρτημα ΑΠΘ
   SpaceDot
   VROOM
   Panther
  

THMMY.gr Web

Helios_MultiScribbles2SMF Default ThemeSMFone_Blue

[Ανεβάζετε τα θέματα των εξετάσεων στον τομέα Downloads]

Είσαι πρωτοετής;... Καλώς ήρθες! Μπορείς να βρεις πληροφορίες εδώ. Βοήθεια για τους καινούργιους μέσω χάρτη.

Κατεβάστε εδώ το Android Application για εύκολη πρόσβαση στο forum.

Ανεβάζετε τα θέματα των εξετάσεων στον τομέα Downloads με προσοχή στα ονόματα των αρχείων!

[ονόματα των αρχείων]

Ανεβάζετε τα θέματα των εξετάσεων στον τομέα Downloads

με προσοχή στα ονόματα των αρχείων!

[4emonas]

προσωπικά δεν θυμάμαι τόσο μεγάλο αρχείο στην Ηλ3.. Μήπως το κοιτάς λάθος? 

[Leo_Paranoid]

Σίγουρα δεν είναι 180 MB

[delta]

δεν θελεις ολα τα αρχεια του spice σχετικα με τον τελεστικο?
εχω εναν φακελο που ονομαζεται SCHEMATIC1 και ειναι 230 Μ

[anaslout]

Καλησπέρα.Για τον υπολογισμό του SR εκτός ότι πρέπει να αλλάξω τη πηγή σε γεννήτρια παλμών,πρέπει και να βραχυκλώσω τη πύλη του Μ1 με την έξοδο η την αφήνω στη γείωση όπως πριν?

[delta]

Συνδεεις την πυλη του Μ1 με την έξοδο.

[anaslout]

τι εννοεις την πηγη?οχι την πύλη?η συνδεσμολογία που παραθέτω είναι λάθος?

[delta]

εχεις σωστη συνδεσμολογια

[rafailnik]

Παίδες θα με βοηθούσατε πολύ αν μου λυνάτε 3 απορίες που έχω με βάση καi μερικές συνδεσμολογίες συναδέλφων που είδα εδώ:
1) Σαν πυκνωτές χρησιμοποιούμε κανονικά το βασικό μοντέλο του spice, ή ηλεκτρολυτικούς όπως φάινεται και στην εκφώνηση???Ρωτάω διότι εκεί παίζει ρόλο ο προσανατολισμός του πυκνωτή (+ και - ).
2) Ανάλογα με τα δεδομένα που έχει ο καθένας μας από το ΑΕΜ βρίσκει τα διάφορα W, ενώ για το L θα ήθελα να ρωτήσω αν το ότι η εκφώνση μιλάει για ΜOS τεχνολογίας 0.35 συνεπάγεται οτι L=0.35μm. Eφόσον βρούμε αυτές τις παραμέτρους, πώς εισάγονται αυτές ξεχωριστά σε κάθε διαφορετικό Mos? Εγω προσωπικά σκέφτηκα να βάλλω ,στα δοσμένα  από την εκφώνηση μοντέλα για τα P και N mos, επιπλέον τις παραμέτρους για το W και το L(π.χ.W=21.9u και L=0.35u).Αυτό το έκανα δλδ στο κομμάτι του edit Spice Model. Ωστόσο κατά αυτόν τον τρόπο αυτά ούτε εμφανίζονταν πάνω στην συνδεσμολογία , όπως παρατήρησα από άλλους συναδέλφους ότι γίνεται, ενώ επίσης κατ αυτόν τον τρόπο δεν μπορώ να έχω διαφορετικά χαρακτηριστικά σε δύο transistor ιδιου τύπου ( δλδ τότε ολα΄τα Nmos εχουν ίδιες αναλογίες). Πως διορθώνεται αυτό?
3)Η τελευταία απορία αφορά τον τύπο του Μos που θα εισάγουμε .Υπάρχουν δυο διαφορετικοί: αυτοί που έχουν Βάση, Πύλη και Πηγή βραχυκυκλωμένα και αυτοί που δεν έχουν. Παρατήρησα ότι κάποιοι συνάδελφοι χρησιμποποιούσαν το ένα μοντέλο και κάποιοι το άλλο. Μπορεί κάποιος να μου ξακαθαρίσει ποιο είναι το κατάλληλο κια γιατί??

[Ζak Μckracken]

Από την στιγμή που περνάμε τις παραμέτρους που έχει στο thmmy σε καθε pmos και nmos τις αφήνουμε έτσι? αλλάζουμε κάποια?
και πως ορίζουμε στο καθε mos τα w & l του;

[Leo_Paranoid]

Παίδες θα με βοηθούσατε πολύ αν μου λυνάτε 3 απορίες που έχω με βάση καi μερικές συνδεσμολογίες συναδέλφων που είδα εδώ:
1) Σαν πυκνωτές χρησιμοποιούμε κανονικά το βασικό μοντέλο του spice, ή ηλεκτρολυτικούς όπως φάινεται και στην εκφώνηση???Ρωτάω διότι εκεί παίζει ρόλο ο προσανατολισμός του πυκνωτή (+ και - ).
2) Ανάλογα με τα δεδομένα που έχει ο καθένας μας από το ΑΕΜ βρίσκει τα διάφορα W, ενώ για το L θα ήθελα να ρωτήσω αν το ότι η εκφώνση μιλάει για ΜOS τεχνολογίας 0.35 συνεπάγεται οτι L=0.35μm. Eφόσον βρούμε αυτές τις παραμέτρους, πώς εισάγονται αυτές ξεχωριστά σε κάθε διαφορετικό Mos? Εγω προσωπικά σκέφτηκα να βάλλω ,στα δοσμένα  από την εκφώνηση μοντέλα για τα P και N mos, επιπλέον τις παραμέτρους για το W και το L(π.χ.W=21.9u και L=0.35u).Αυτό το έκανα δλδ στο κομμάτι του edit Spice Model. Ωστόσο κατά αυτόν τον τρόπο αυτά ούτε εμφανίζονταν πάνω στην συνδεσμολογία , όπως παρατήρησα από άλλους συναδέλφους ότι γίνεται, ενώ επίσης κατ αυτόν τον τρόπο δεν μπορώ να έχω διαφορετικά χαρακτηριστικά σε δύο transistor ιδιου τύπου ( δλδ τότε ολα΄τα Nmos εχουν ίδιες αναλογίες). Πως διορθώνεται αυτό?
3)Η τελευταία απορία αφορά τον τύπο του Μos που θα εισάγουμε .Υπάρχουν δυο διαφορετικοί: αυτοί που έχουν Βάση, Πύλη και Πηγή βραχυκυκλωμένα και αυτοί που δεν έχουν. Παρατήρησα ότι κάποιοι συνάδελφοι χρησιμποποιούσαν το ένα μοντέλο και κάποιοι το άλλο. Μπορεί κάποιος να μου ξακαθαρίσει ποιο είναι το κατάλληλο κια γιατί??

1)C/Analog
2)Τα W και L τα ορίζεις εσύ. Δεν είναι παράμετροι του μοντέλου και άρα δεν μπαίνουν μαζί με τα άλλα. Αν κάνεις δεξί κλικ θα σου έχει 2 πλαίσια για να ορίσεις τα W και L
3)Χρησιμοποιούμαι τα mbreakN/P

[trelonoobaki]

Ένας φίλος μου από το χωριό έκανε τον ενισχυτή, αλλά με αντίστροφα είδη τρανζίστορ (n στην είσοδο κλπ). Να του πω να το αλλάξει;

[Leo_Paranoid]

Αν ο φίλος σου από το χωριό ερχόταν στο μάθημα ή διάβαζε προσεκτικά τις σημειώσεις θα ήξερε τη διαφορά της p από την n είσοδο και θα αποφάσιζε μόνος, αν πρέπει ή δεν πρέπει να το αλλάξει.

[Ζak Μckracken]

ERROR -- Circuit Too Large!
EVALUATION VERSION Limit Exceeded for "Q" Devices!

Τι παίζει με αυτό;

[Leo_Paranoid]

Πως τα κατάφερες; Η student version έχει όριο στα devices που μπορούν να χρησιμοποιηθούν, αλλά δεν υπάρχει πρόβλημα με την συγκεκριμένη εργασία.

[Ζak Μckracken]

Πως τα κατάφερες; Η student version έχει όριο στα devices που μπορούν να χρησιμοποιηθούν, αλλά δεν υπάρχει πρόβλημα με την συγκεκριμένη εργασία.