[Ηλεκτρονική ΙΙΙ] Σχεδιαστικη εργασια 2015

[Thmmy.gr portal]

  Thmmy.gr portal
   Forum
   Downloads
   Ενεργ. Λογαριασμού
   Επικοινωνία
  
  Χρήσιμα links
   Σελίδα τμήματος
   Βιβλιοθήκη Τμήματος
   Elearning
   Φοιτητικά fora
   Πρόγραμμα Λέσχης
   Πρακτική Άσκηση
   Ηλεκτρονική Εξυπηρέτηση Φοιτητών
   Διανομή Συγγραμμάτων
   Ψηφιακό Καταθετήριο Διπλωματικών
   Πληροφορίες Καθηγητών
   Instagram @thmmy.gr
   mTHMMY
  
  Φοιτητικές Ομάδες
   ACM
   Aristurtle
   ART
   ASAT
   BEAM
   BEST Thessaloniki
   EESTEC LC Thessaloniki
   EΜΒ Auth
   IAESTE Thessaloniki
   IEEE φοιτητικό παράρτημα ΑΠΘ
   SpaceDot
   VROOM
   Panther
  

THMMY.gr Web

Helios_MultiScribbles2SMF Default ThemeSMFone_Blue

[Ανεβάζετε τα θέματα των εξετάσεων στον τομέα Downloads]

Είσαι πρωτοετής;... Καλώς ήρθες! Μπορείς να βρεις πληροφορίες εδώ. Βοήθεια για τους καινούργιους μέσω χάρτη.

Κατεβάστε εδώ το Android Application για εύκολη πρόσβαση στο forum.

Ανεβάζετε τα θέματα των εξετάσεων στον τομέα Downloads με προσοχή στα ονόματα των αρχείων!

[Πληροφορίες Καθηγητών]

Πληροφορίες Καθηγητών

[Napoleon]

Topic που αφορά τη σχεδιαστική εργασία του μαθήματος, με απορίες/ερωτήσεις/κλπ σχετικά με αυτήν. Stay on topic!

[nohponex]

Εργασία Τελεστικού Ενισχυτή

16 Μαρ 2015 4:13 μμ
Γεράκης

Η εργασία του τελεστικού ενισχυτή αναρτήθηκε, και μπορείτε να την κατεβάσετε παρακάτω. Θα πρέπει να παραδοθεί μέχρι τις 1 Ιουνίου. Μπορείτε να την ανεβάσετε μαζί με τις υπόλοιπες εργασίες του εργαστηρίου. Η εργασία θα πρέπει να περιλαμβάνει 1) μια αναφορά που να περιέχει τις αρχικές τιμές των W όπως τις έβγαλε ο αλγόριθμος, τις τελικές τιμές W μετά το tuning και screenshots από τα διαγράμματα της προσομοίωσης. Επίσης το σκριπτάκι που ζητείται. Τέλος μπορείτε να συμπεριλάβετε συμπεράσματα και παρατηρήσεις. 2) το φάκελο του SPICE project που περιέχει μέσα Schematic και αρχεία προσομοίωσης. Εδώ μπορείτε να κατεβάσετε την εργασία του τελεστικού ενισχυτή

[teslaaaa]

Αν είμαι παλιότερο έτος, αλλά έχω κάνει τα εργαστήρια, και θέλω πχ. να εξεταστώ σεπτέμβρη στο μάθημα , μπορώ να την κάνω και τότε?
με νέες προδιαγραφές?

[zeus90]

Πέρυσι τουλάχιστον μπορούσες να το κάνεις. Με νέες προδιαγραφές. Χωρίς διαγωνισμό.

[kaliakog]

Η εργασία είναι υποχρεωτική για αυτούς που δηλώνουν πρώτη φορά το εργαστήριο?

[Jim D. Ace]

nai

[TrueForce]

εγώ που το δήλωσα πέρσι πρώτη φορά αλλά δεν παρακολούθησα...;

[SportBillyPap]

Για την εργασια μια λεπτομερεια οταν λεει MOS 0.35 εννοει οτι L=0.35 η Vov=0.35?

[pentium4]

Μηκος καναλιου ειναι οταν λεει τεχνολογια (μm) αλλα τσεκαρε sedra smith ειναι στα πρωτα κεφαλαια αυτο εκει που λεει για τη διαμορφωση καναλιου

[SportBillyPap]

Ευχαριστω

[opcode]

Στα π.χ. έχει παραδείγματα υλοποίησης Τ.Ε. με n-MOS διαφορικό ζεύγος. Εάν θέλουμε να υλοποιήσουμε με p-MOS, πέρα από τους τύπους 7 και 8 για την Vin (min-max), τι αλλάζει στον τύπο υπολογισμού της S3?

Για την ακρίβεια δεν ξέρω τι αλλάζει στα VTO3 και VTO1 που υπάρχουν στον παρονομαστή .

[Δον]

Στα π.χ. έχει παραδείγματα υλοποίησης Τ.Ε. με n-MOS διαφορικό ζεύγος. Εάν θέλουμε να υλοποιήσουμε με p-MOS, πέρα από τους τύπους 7 και 8 για την Vin (min-max), τι αλλάζει στον τύπο υπολογισμού της S3?

Για την ακρίβεια δεν ξέρω τι αλλάζει στα VTO3 και VTO1 που υπάρχουν στον παρονομαστή .

Αν έχω καταλάβει σωστά, το delta αυτό που καθορίζει τα VT0.

Σε συνέχεια αυτού που ρωτάς, πως υπολογίζεται η Vin όταν δεν έχουμε γνωστό το β? Εφόσον β_3=K'*(W/L)_3 πως να υπολογίσουμε το (W/L)_3 που χρειάζεται το Vinmax που χρειάζεται το β_3 που χρειάζεται το (W/L)_3 ?

[opcode]

Στα π.χ. έχει παραδείγματα υλοποίησης Τ.Ε. με n-MOS διαφορικό ζεύγος. Εάν θέλουμε να υλοποιήσουμε με p-MOS, πέρα από τους τύπους 7 και 8 για την Vin (min-max), τι αλλάζει στον τύπο υπολογισμού της S3?

Για την ακρίβεια δεν ξέρω τι αλλάζει στα VTO3 και VTO1 που υπάρχουν στον παρονομαστή .

Αν έχω καταλάβει σωστά, το delta αυτό που καθορίζει τα VT0.

Σε συνέχεια αυτού που ρωτάς, πως υπολογίζεται η Vin όταν δεν έχουμε γνωστό το β? Εφόσον β_3=K'*(W/L)_3 πως να υπολογίσουμε το (W/L)_3 που χρειάζεται το Vinmax που χρειάζεται το β_3 που χρειάζεται το (W/L)_3 ?

Βασικά εγώ ρωτούσα για την θεωρητική ανάλυση. Δηλαδή, οτι στο π.χ. των διαφανειών ο ΤΕ είναι με n-MOS Διαφορικό Ζεύγος. Ο τύπος για το S3 στον παρονομαστή έχει -|VT03|(max)+VT01(min) όπου στο συγκεκριμένο πχ το Q3 είναι p-MOS και το Q1 είναι n-MOS. Αν πάρουμε ΤΕ με Διαφορικό Ζεύγος p-MOS η απορία μου είναι τι αλλάζει στον παρονομαστή. Δηλαδή, θα μείνει ως έχει η παραπάνω σχέση? Θα γίνει -|VT01|(max)+VT03(min)? Κάτι άλλο? 

Τώρα γι αυτό που ρωτάς κανονικά έπρεπε να μας δώσει το ICMR για να μην μπλέξουμε με τους τύπους. Αν δείς στα FAQ λέει να πάρουμε -0.1 με 0.1 V (που είναι αρκετά μικρό η αλήθεια). 

[Δον]

Στα π.χ. έχει παραδείγματα υλοποίησης Τ.Ε. με n-MOS διαφορικό ζεύγος. Εάν θέλουμε να υλοποιήσουμε με p-MOS, πέρα από τους τύπους 7 και 8 για την Vin (min-max), τι αλλάζει στον τύπο υπολογισμού της S3?

Για την ακρίβεια δεν ξέρω τι αλλάζει στα VTO3 και VTO1 που υπάρχουν στον παρονομαστή .

Αν έχω καταλάβει σωστά, το delta αυτό που καθορίζει τα VT0.

Σε συνέχεια αυτού που ρωτάς, πως υπολογίζεται η Vin όταν δεν έχουμε γνωστό το β? Εφόσον β_3=K'*(W/L)_3 πως να υπολογίσουμε το (W/L)_3 που χρειάζεται το Vinmax που χρειάζεται το β_3 που χρειάζεται το (W/L)_3 ?

Βασικά εγώ ρωτούσα για την θεωρητική ανάλυση. Δηλαδή, οτι στο π.χ. των διαφανειών ο ΤΕ είναι με n-MOS Διαφορικό Ζεύγος. Ο τύπος για το S3 στον παρονομαστή έχει -|VT03|(max)+VT01(min) όπου στο συγκεκριμένο πχ το Q3 είναι p-MOS και το Q1 είναι n-MOS. Αν πάρουμε ΤΕ με Διαφορικό Ζεύγος p-MOS η απορία μου είναι τι αλλάζει στον παρονομαστή. Δηλαδή, θα μείνει ως έχει η παραπάνω σχέση? Θα γίνει -|VT01|(max)+VT03(min)? Κάτι άλλο? 

Τώρα γι αυτό που ρωτάς κανονικά έπρεπε να μας δώσει το ICMR για να μην μπλέξουμε με τους τύπους. Αν δείς στα FAQ λέει να πάρουμε -0.1 με 0.1 V (που είναι αρκετά μικρό η αλήθεια). 

Ναι και εγώ το είδα μετά

Ααααα.. Χμμμμ. +1

[giwrgosbg]

Ξέρει μήπως κανένας απο τους μεγαλύτερους κάτι που μπορουμε να διαβασουμε και να μας βοηθήσει  στο να κάνουμε την εργασία;
Ευχαριστώ