[Ηλεκτρονική Ι] Παλιά θέματα - Σχολιασμός και απορίες

[Thmmy.gr portal]

  Thmmy.gr portal
   Forum
   Downloads
   Ενεργ. Λογαριασμού
   Επικοινωνία
  
  Χρήσιμα links
   Σελίδα τμήματος
   Βιβλιοθήκη Τμήματος
   Elearning
   Φοιτητικά fora
   Πρόγραμμα Λέσχης
   Πρακτική Άσκηση
   Ηλεκτρονική Εξυπηρέτηση Φοιτητών
   Διανομή Συγγραμμάτων
   Ψηφιακό Καταθετήριο Διπλωματικών
   Πληροφορίες Καθηγητών
   Instagram @thmmy.gr
   mTHMMY
  
  Φοιτητικές Ομάδες
   ACM
   Aristurtle
   ART
   ASAT
   BEAM
   BEST Thessaloniki
   EESTEC LC Thessaloniki
   EΜΒ Auth
   IAESTE Thessaloniki
   IEEE φοιτητικό παράρτημα ΑΠΘ
   SpaceDot
   VROOM
   Panther
  

THMMY.gr Web

Helios_MultiScribbles2SMF Default ThemeSMFone_Blue

[Ανεβάζετε τα θέματα των εξετάσεων στον τομέα Downloads]

Είσαι πρωτοετής;... Καλώς ήρθες! Μπορείς να βρεις πληροφορίες εδώ. Βοήθεια για τους καινούργιους μέσω χάρτη.

Κατεβάστε εδώ το Android Application για εύκολη πρόσβαση στο forum.

Ανεβάζετε τα θέματα των εξετάσεων στον τομέα Downloads με προσοχή στα ονόματα των αρχείων!

Για οποιοδήποτε πρόβλημα με register/login, στείλτε email στο contact@thmmy.gr.

[+satyr]

http://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item817

Η δίοδος εδώ πέρα άγει λογικά μόνο όταν το Vin είναι μεγαλύτερο από τα 12 Volt,δηλαδή στο χρονικό διάστημα Τ/12 εως 5Τ/12 επομένως το κλάσμα είναι 1/3.
Το μέγιστο ρεύμα της διόδου δίνεται από την σχέση:0,1*Id=12???
Ισχύει αυτό?Τη μέγιστη ανάστροφη πόλωση που εφαρμόζεται στα άκρα της διόδου  πως την  βρίσκουμε??

Δεν την έχω δει αλλά νομίζω:

μέγιστη αναστροφη τάση: 24+12=36 V (είναι ήδη αναστροφα πολωμένη με 12V, πολώνεται με 24 επιπλέον κατά τη δεύτερη ημιπερίοδο)
για το κλασμα νομίζω είσαι οκ
για το μέγιστο ρεύμα: VD=Vs-12-100ID => για VD=0 (δηλ. όταν άγει) ID=(Vs-12)/100 άρα ΙDmax=(24-12)/100=...

[+satyr]

Κατά βάση είναι το πρώτο που λες,όχι δεν μπορείς να ορίσεις το μέσο της ενεργού περιοχής χωρίς πρώτα να βάλεις τι όρια σε παραμόρφωση θες και να πάρεις υπόψη 1 εκατομμύριο παράγοντες.Η ενεργός περιοχή δεν ορίζεται,διότι απλά διαφορετικά συστήματα έχουν διαφορετικές ανάγκες(πχ ένα ψηφιακό που το λογικό 1 είναι από 3,5 μέχρι 5V μπορεί να αντέξει καμπόση παραμόρφωση,ενώ ένας αισθητήρας ακρίβειας όχι)

Thanks!!

Μήπως μπορείς να βοηθήσεις και στα τρία θέματα που επισύναψα πιο πριν????
Plz!!!

[Godhatesusall]

Από πάνω προς τα κάτω(δεν κάνω πράξεις οπότε βάλε τα νούμερα και δες αν βγαίνουν όπως στα λέω εγώ)

1η άσκηση:

Επειδή Ig->0,μπορούμε να θεωρήσουμε ότι Id1=Id2.Από κει και πέρα έχουμε Vs1=Vd2.Σε αυτή την φάση λες ότι δεν υπάρχει περίπτωση και τα 2 να λειτουργούν σαν ενισχυτές,γιατί το κύκλωμα θα καεί σε χρόνο dt.Άρα το λες ότι το ένα FET είναι στην ωμική περιοχή(έστω το 1ο) και το άλλο λειτουργεί σαν ενισχυτής.Τώρα νομίζω πως έχεις αρκετές εξισώσεις για να λύσεις και να βρεις τα απαιτούμενα μεγέθη.Προφανώς αν φτάσεις σε άτοπο,αλλάζεις την υπόθεση σου

2η άσκηση:

(αν κατάλαβα καλά ρωτάς στο 2β πως θα βρούμε το σημείο λειτουργίας)

Για να βρούμε το σημείο λειτουργίας κάνουμε DC ανάλυση =>όλοι οι πυκνωτές είναι ανοιχτοκυκλώματα.Κάνεις ένα thevenin στην βάση και μετά γράφεις την εξίσωση από του βρόγχου γη->Eth->Rth->Vbe->Ieq->γη.Έτσι βρίσκεις το Ieq,και άρα έχεις και το Icq,τώρα λες ότι Vceq=Vcq-Veq=Icq*Rc-Ieq*Re


3η άσκηση:

Ψάχνεις το Rin και το Rout για το AC=>η τροφοδοσία είναι σαν να είναι γη.Έχοντας υπόψην ότι τα FET έχου τεράστια αντίσταση εισόδου(της τάξης των ΜΩ) λες ότι Rin=Rg||(Rf+Rd)||rin ~=Rg||(Rf+Rd).
Το Rout=Rd(αυτή την αντίσταση βλέπει μόνο το ρεύμα -κατά προσέγγιση- πριν φτάσει στην γη,που είναι η τροφοδοσία Vdd).

[+satyr]

 

Στη 2 εννοούσα τις αντιστασεις εισοδου και εξοδου της συνδεσμολογίας κοινής βασης. Το σημειο λειτουργίας δεν ήταν δύσκολο.
Στο Α4 που τη λύνει την άσκηση αυτή χρησιμοποιεί εκείνο τον τύπο του ελεους ο οποίος είναι κάτι//(1/gm) και τον οποίο δεν μπορώ με τίποτα να αποδείξω. Ενώ βρίσκω την αντισταση εισόδου (και η μεθοδολογία είναι σίγουρα σωστή) το αποτέλεσμά μου είναι διαφορετικό από το κάτι//(1/gm). Κυρίως αυτό με ενδιαφέρει (να καταλάβω πως βγαίνει το κάτι//1/gm του τύπου στο βιβλίο και τις διαφάνειες) ώστε αν βάλει CB αλλά όχι το γνωστό κλασσικό κυκλωμα με διαιρέτη τάσης να μπορώ να βρω την Rin έχοντας στο μυαλό μου τη μεθοδολογία.

Σ'ευχαριστώ!!!

[Godhatesusall]

Rin=rin||Re||1/gm. στον "κλασσικό" ενισχυτή κοινής βάσης.

Το Gm ξεφύτρωσε επειδή προσπαθείς να "μεταβείς" από την είσοδο(εκπομπός) στην έξοδο(συλλέκτης)  και άρα η αντίσταση που βλέπεις σε αυτή την μετάβαση(αν εξερέσεις την Re και την rin που τις έχουμε βάλει ήδη) είναι Ic/Vce που είναι ο ορισμός του 1/gm

[salala]

Το 2)β)ii  από τα θέματα Σεπτεμβριου 2008 το έχει λύσει κανείς; 

[+satyr]

Rin=rin||Re||1/gm. στον "κλασσικό" ενισχυτή κοινής βάσης.

Το Gm ξεφύτρωσε επειδή προσπαθείς να "μεταβείς" από την είσοδο(εκπομπός) στην έξοδο(συλλέκτης)  και άρα η αντίσταση που βλέπεις σε αυτή την μετάβαση(αν εξερέσεις την Re και την rin που τις έχουμε βάλει ήδη) είναι Ic/Vce που είναι ο ορισμός του 1/gm

Ρε συ God, σορρυ για το πρήξιμο αλλα δεν το καταλαβαίνω αυτό που λες. Καταρχας στις διαφάνειες λέει Rin=RE//rin και rin=(rbb'+rbe)//(1/gm) που δε συνάδει με αυτό που λες. Επίσης, από που προκύπτει ότι ο ορισμός της διαγωγιμότητας είναι Ιc/Vce; Στου κοντολέωντα αλλά και στο Sedra Smith δε βρήκα κάτι τέτοιο.

Ρίξε λίγο μια ματια στο συνημμένο

[Godhatesusall]

το rin κατά βάση είναι και λίγο....γραφειοκρατικό....Τι εννοώ: μπορείς να πεις πχ στον κλασικό ενισχυτή κοινού εκπομπού Rin=R1||R2||rin||(β+1)Re αν ορίσεις το rin=rbb'+(β+1)rd ,αλλά Rin=R1||R2||rin αν ορίσεις rin=rbb'+(β+1)(rd+Re).

Τώρα που δίνει τον ορισμό της gm στο βιβλίο δεν θυμάμαι,και δεν έχω εύκαιρο το βιβλίο.

[+satyr]

Κάτι έχω πάθει τις τελευταίες μέρες και γράφω μ@λ@κίες από απροσεξία. Στο συνημμένο που έβαλα ένα ποστ πιο πάνω, στο δεύτερο κύκλωμα (ισοδύναμο του πρώτου), όπου Rs είναι RTH (κι όχι Rs) και η πηγή είναι ΕΤΗ

God νομίζω δεν είσαι σωστός. Η rin είναι συγκεκριμένη έννοια (η αντίσταση εισόδου του τρανζίστορ). Όταν έχεις ένα δεδομένο κύκλωμα δεν μπορείς να "ορίσεις" την rin όπως θες, γιατί την ορίζει το κύκλωμα με συγκεκριμένο τρόπο και σχέση. Επίσης, οι τύπου που δίνεις ξαναδέστους, δεν είναι ...(rd+RE) στην αντίσταση εισόδου CB.

Για το συνημμένο μόλις πιο πάνω που δίνει άλλα αποτελεσματα από αυτά των διαφανειών, υπάρχει κάποια ανταπόκριση απο κάποιον????

[Godhatesusall]

το rin είναι η αντίσταση εισόδου του transistor,αλλά που αρχίζει και που τελειώνει το bjt???Στο rin πολλές φορές μέσα βάζουμε και την Re(αντίσταση εκπομπού) πράγμα που αν είσαι "των τύπων" δεν είναι σωστό γιατί η Re είναι εξωτερική αντίσταση.Έλα μου ντε όμως που το κάνουμε....

οι τύποι που έγραψα στο προηγούμενο ποστ μου ήταν για CE ενισχυτή,όχι για CB.

[+satyr]

God I'm sorry but I have to insist

Η αντίσταση εισόδου του τρανζίστορ προφανώς και επηρεάζεται και από τις εξωτερικές αντιστάσεις του κυκλώματος. Και κάθε φορά είναι συγκεκριμένη, πχ στoν CE είναι η αντίσταση μεταξύ Β (η "αρχή" που λες)και γης.

[Social_waste]

(τον ορισμο της διαγωγιμοτητας τον δινει εκει που περιγραφει
το ισοδυναμο του τρανζιστορ.)

[goustafson]

Μπορεί καποιος να με πει πιο ειναι το κύκλωμα αντιστροφεα;;;;;;και που βρισκεται στο βιβλίο;;;;

[testiculos]

Μπορεί καποιος να με πει πιο ειναι το κύκλωμα αντιστροφεα;;;;;;και που βρισκεται στο βιβλίο;;;;

σε΄λ 133

[termi]

http://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item1193

Φεβρουάριος 2009 θέμα 1β
το κλάσμα της περιόδου της Vs που η δίοδος άγει βγαίνει T/4???