THMMY.gr

Εδώ μπορείτε να σχολιάζετε τα θέματα και
να συζητάτε τις όποιες απορίες σας πάνω σε παλιά θέματα της
Ηλεκτρονικής Ι.
(Τα παλιά θέματα υπάρχουν στον τομέα Downloads)

Ξέρει κανείς να με βοηθήσει για τη λυση του 1ου θέματος β) ερώτημα ΣΕΠΤΕΜΒΡΙΟΥ 2001

Η Καδή ειχε λύσει την άσκηση μέσα στην τάξη,αλλά όσοι έχουν πάει καταλαβαίνουν γιατί δεν έχω τη λύση της(ή τουλαχιστο μια λύση που να καταλαβαίνεται...)!

Ρε παιδιά όταν ζητάτε βοήθεια σε παλιά θέματα βάλτε τουλάχιστον ένα λινκ!
Λοιπόν η D1 για να άγει χρειάζεται τάση τουλάχιστον 0.7 στα άκρα της. Επίσης ο κλάδος με την πηγή και την D2 για να άγει χρειάζεται τάση 5+0.7=5.7 στα άκρα του. Έτσι για V1 από -10 ως 0.7 η V2 θα είναι 0, για V1 από 0.7 ως V2=5.7 (ή αντίστοιχα επειδή V2=(V1-0.7)*10/15 για V1>0, για V1 από 0.7 ως 8.55) V2=(V1-0.7)*10/15 και για μεγαλύτερες τιμές της V1 (V1>8.55) η V2=5.7 σταθερή.

Ευχαριστώ πολύ,είχα τη μισή μόνο λύση και δεν ήμουν σίγουρος τι γίνεται.Βασικά δεν έβαλα link γιατί ειναι θέμα που υπάρχει στα downloads,αλλά εκτος από αυτό,δεν ξέρω να βάζω link !!!!!!!!!

Αλλά μια που βλέπω οτι ξέρεις τα πράματα,είναι εύκολο να μου εξηγήσεις και το 1ο θέμα του Ιανουαρίου 2002.Είναι και αυτο στα downloads,δεν ξέρω να βάλω link,sorry!

Συγνώμη αν γίνομαι κουραστικος,αν βαριέσαι άστο...

για να βαλεις λινκ απλα κανε δεξι κλικ στο αρχειο που θες να βαλεις λινκ κ πατα properties (ιδιοτητες).
Επειτα θα κανεις ενα copy τη διαυθυνση του.

μετα οταν θα γραψεις το μηνυμα σου θα γραψεις... {url} εδω θα βαλεις τη διευθυνση {/url} μονο που αντι για τις αγκυλες που εβαλα εγω θα βαλεις αυτην [ και αυτην ]  (δεν τις βαζω για ευνοητους λογους....το κειμενο μου θα γινει λινκ)

Το πιο απλό είναι να ανοίξεις σε ένα παράθυρο τη διεύθυνση που θέλεις να κάνεις link, να την κάνεις copy-paste στο post σου και μετά, αφού την μαρκάρεις, να πατήσεις το κουμπί "Insert Hyperlink" το τρίτο εικονιδιάκι (ακριβώς κάτω από την υπογράμμιση).
Και για να μεν είμαι εντελώς off-topic, πώς μπορούμε να ρυθμίσουμε το κέρδος ενός ενισχυτή πχ. CE με χρήση πυκνωτών σε σειρά με κάτι? Μόνο το παράλληλα μου φαίνεται λογικό...
(Είναι σε μια άσκηση που έκανε η κ.Καδή αλλά δεν παρακολουθούσα).

Αυτό εδώ, πώς λύνεται;  ^banghead^ ^knuppel^ Είναι από Σεπτέμβριο 2006 Α. ^beg^ Ευχαριστώ!

Κανείς για βοήθεια;  :'(

Η χαρακτηριστική του κυκλώματος που ζητείται αποτελείται από 3 περιοχές τάσης στην καθεμία από τις οποίες το κύκλωμα παρουσιάζει διαφορετική αντίσταση. Πρόσεξε ότι η αντίσταση μειώνεται όσο η τάση αυξάνεται. Άρα πρέπει να βρεθεί ένας τρόπος με τον οποίο κατά κάποιο τρόπο θα μπαίνουν έξτρα αντιστάσεις στο κύκλωμα παράλληλα μόλις η τάση ξεπερνάει μια συγκεκριμένη τιμή. Ποιο κύκλωμα που έχετε δει θα μπορούσε να κάνει κάτι τέτοιο;
Μέχρι τα -5 V το κύκλωμα είναι σαν ανοικτό κύκλωμα. Από τα -5 μέχρι τα 10 V παρουσιάζει αντίσταση 15/2.5=6 kΩ. Άρα θέλουμε ένα κλάδο με μια αντίσταση 6 kΩ παράλληλα από τον οποίο όμως θα αρχίσει να περνάει ρεύμα μόλις η τάση που εφαρμόζεται σε αυτόν γίνει μεγαλύτερη από -5 V. Πώς το καταφέρνουμε αυτό; Έστω ότι έχουμε μια δίοδο με ορθή τάση πόλωσης 0.7 V. Τότε αν βάλουμε αυτή τη δίοδο σε σειρά με μια πηγή τάσης -5.7 V και μια αντίσταση 6 kΩ, τότε από αυτό τον κλάδο θα περνάει ρεύμα μόνο όταν η τάση πάνω του είναι μεγαλύτερη από -5 V, και η αντίσταση του κλάδου θα είναι 6 kΩ συν την αντίσταση της διόδου που όμως δεν ξεπερνάει τα 100 Ω περίπου και μπορούμε να την αγνοήσουμε.
Ομοίως για το τρίτο κομμάτι της χαρακτηριστικής θέλουμε αντίσταση 10/5=2 kΩ. Άρα χρειαζόμαστε μια αντίσταση 3kΩ (3kΩ παράλληλα σε 6kΩ = 2 kΩ) σε σειρά με μια δίοδο και μια πηγή τάσης 9.3 V. Αυτός ο κλάδος θα μπει παράλληλα στον προηγούμενο.

Τις πολικότητες προσπάθησε να τις σκεφτείς μόνος σου.

Αυτό ακριβώς κατάφερα και σκέφτηκα κι εγώ, την ίδια μέρα που έγραψες το ποστ και όντως το επαλλήθευσα και είμαι σωστός. Το σκάναρα και το ανεβάζω, να κοιτάξουμε τυχόν αβλεψίες.

Υ.Γ.: Κάνω κάποιο λάθος με τα 3 kΩ που βάζω στον δεύτερο κλάδο;

Και βεβαίως ευχαριστώ πολύ για το χρόνο σου και για την πολύτιμη βοήθειά σου!

Οκ είναι. Και ναι είναι 3 kΩ, λάθος υπολογισμός του παράλληλου συνδυασμού στο κεφάλι μου.
Το κάνω edit παραπάνω.

Για θέματα όπως αυτό του Ιανουαρίου 2006 1.β) και γενικά παρόμοια θέματα πως δουλεύουμε. Τα παραδείγματα του βιβλίου στο κεφάλαιο 2 μου φαίνονται υπεραπλουστευμένα.

Soso, θα το σκανάρω και θα το ανεβάσω σήμερα το βραδάκι που θα πάω σπίτι, είναι απλό.

Γενική ερώτηση ειδικής άσκησης:

Στο 1.β. του Σεπτεμβρίου 2000 τι ακριβώς εννοεί λέγοντας "η αναλυτική έκφραση για την τάση και το ρεύμα της διόδου"; Είμαι βιβλιοθήκη τώρα και δυστυχώς δεν μπορώ να επισυνάψω την άσκηση που αναφέρεται. Τι πρέπει δηλαδή να κάνουμε στην άσκηση; Φαίνεται πολύ απλή!

Συνεχίζοντας μέσα από τη βιβλιοθήκη. Όταν δεν έχουμε τη χαρακτηριστική της διόδου, τι κάνουμε; Παίρνουμε το r=26n/I; Υποθέτουμε ότι n=2 αφού λέει ότι η τάση της διόδου είναι περίπου 0.7 V; Όμως παίρνοντας αυτό, δεν προκύπτει τελικά το ίδιο. Στο 1.β. του Ιανουαρίου 2002 ας πούμε, το Vout είναι μικρότερο (κάπου στα 1.9 V) από τα 2.1 V που θα έπρεπε να είναι κανονικά με τρεις διόδους στη σειρά. Τι παίζει εδώ;

οντως πως λυνεται το 1,β του ιανουαριου του 2002?εχει κανεις καμια ιδεα??

Λοιπόν εδώ έχουν μπερδευτεί βασικά πράγματα (και δεν σε αδικώ, θυμάμαι και γω τα μπέρδευα τότε, αφού μια ξεκάθαρη ανάλυση δεν κάνουν...). Υπάρχει η ανάλυση μεγάλου και μικρού σήματος. Η δίοδος είναι ένα μη γραμμικό εξάρτημα με εκθετική σχέση ρεύματος-τάσης. Αν θες να λύσεις μαθηματικά ένα κύκλωμα με δίοδο για οποιαδήποτε τιμή σημάτων εισόδου, τότε η μόνη σωστή και ακριβής μαθηματικά λύση είναι να χρησιμοποιήσεις την εκθετική χαρακτηριστική στις εξισώσεις Kirchoff και να λύσεις ουσιαστικά μη γραμμικές εξισώσεις με υπολογιστή. Αντί να κάνουμε αυτό όμως, ουσιαστικά εφαρμόζουμε αρχή επαλληλίας και προσεγγίζουμε. Λέμε δηλαδή: για μεγάλα σήματα, στο dc ας πούμε, η τάση της διόδου είναι προσεγγιστικά ή 0 ή 0.7 V. Με αυτό τον υπολογισμό ουσιαστικά προσεγγίζουμε το "σημείο λειτουργίας" της διόδου, δηλαδή σε ποιο περίπου σημείο της χαρακτηριστικής της βρισκόμαστε. Αυτή είναι η ανάλυση μεγάλου σήματος (ή συνήθως dc ανάλυση).
Τώρα πολλές φορές πάνω σε αυτό το μεγάλο σήμα προστίθεται ένα πολύ μικρότερο συνήθως ημιτονοειδές. Και λέμε λοιπόν ότι για μια μικρή διέγερση, το σημείο λειτουργίας της διόδου, το ζεύγος σημείων (vd,id) δηλαδη, δεν θα μετακινηθεί πολύ πάνω στην χαρακτηριστική της. Άρα μπορούμε έξυπνα σκεπτόμενοι να προσεγγίσουμε την συμπεριφορά της διόδου με την εφαπτομένη στη χαρακτηριστική της, ή με άλλα λόγια με μια αντίσταση rd. Αυτή λόγω της παραγώγου της εκθετικής χαρακτηριστικής προκύπτει 26n/I και έτσι βγαίνει ο τύπος (αν όμως δίνεται διαφορετική προσεγγιση, πχ όπως στο 1.β του 2000 που λες, τότε προκύπτει από την κλίση της εκάστοτε χαρακτηριστικής της διόδου). Έτσι για την απόκριση της διόδου στο μικρό σήμα, και μόνο σ' αυτό, η δίοδος μπορεί να προσεγγιστεί με μια αντίσταση. Η τελική τάση/ρεύμα βρίσκεται έπειτα μέσω επαλληλίας του dc σημείου λειτουργίας και της απόκρισης της (γραμμικοποιημένης) διόδου στο μικρό σήμα. Προσοχή στο ότι επαλληλία ισχύει σε ένα γραμμικό ως προς τις διεγέρσεις κύκλωμα.

Αυτή η «ανάλυση» εξηγεί και γιατί η τάση στις διόδους στο 1.β του 2002 βγαίνει 2.1 αν θεωρήσεις ότι η πτώση τάσης στην δίοδο όταν είναι ορθα πολωμένη είναι 0.7 και διαφορετική (σίγουρα 1.9;; μάλλον >2.1 θα πρεπε) αν την πάρεις ως πηγή τάσης σε σειρά με αντίσταση. Η πρώτη απάντηση ουσιαστικά θεωρεί κατακόρυφη τη χαρακτηριστική της διόδου στα 0.7 V, ενώ η δεύτερη ως μια ευθεία με κλίση 1/rd. Και οι δυο είναι προσεγγίσεις, αλλά η δεύτερη μπλέκει στην ίδια ανάλυση έννοιες μικρού και μεγάλου σήματος (άλλωστε θυμήσου ότι η rd εξαρτάται από το dc σημείο λειτουργίας), και γι’ αυτό δε μ’ αρέσει - για την ακρίβεια τη θεωρώ λάθος: τι νόημα έχει το γινόμενο i_D(total)*r_d; μόνο το (i_{d_ac}-I_{D_dc})*r_d έχει. Για τον ίδιο λόγο διαφωνώ με το δεύτερο ερώτημα της άσκησης, όπου ο μόνος τρόπος να το λύσεις είναι να πάρεις την δίοδο σε ανάλυση μεγάλου σήματος ως πηγή τάσης σε σειρά με αντίσταση.*** Δείτε και το http://www.thmmy.gr/smf/index.php?topic=25992.msg499000#msg499000.

Τώρα στο 1.β του 2000 σου δίνει διαφορετική χαρακτηριστική από την εκθετική. Για να τη λύσεις πρέπει να υποθέσεις ουσιαστικά ότι η δίοδος λειτουργεί στην περιοχή τάσης μετά το 0.5 V οπότε μπορείς να την αντικαταστήσεις με μια πηγή τάσης σε σειρά με την αντίσταση που αντιστιχεί στη κλίση και να κάνεις την ανάλυση. Η διαφορά εδώ είναι ότι υποθέτεις εκ των προτέρων μια γραμμική χαρακτηριστική για τη δίοδο και άρα μπορείς να την προσεγγίσεις κατευθείαν και για μεγάλο σήμα με μια πηγή τάσης σε σειρά με μια αντίσταση, με την προϋπόθεση ότι η τάση πάνω της είναι μεγαλύτερη από 0.5 V. Για να είσαι σωστός πρέπει αφού κάνεις όλη την ανάλυσή σου να επιβεβαιώσεις ότι αυτή η αρχική σου υπόθεση ισχύει.

Κατά τη γνώμη μου πάντως, τέτοια θέματα είναι λάθος, καθώς εμποδιζουν την ξεκάθαρη εισαγωγή του φοιτητή στις έννοιες της γραμμικοποίησης ενός μη γραμμικού συστήματος, και τις αναλύσεις μικρού και μεγάλου σήματος. Λύσεις μπορούν να δοθούν με προσεκτικές προσεγγίσεις, αλλά αμφιβάλλω αν ο ίδιος ο διδάσκοντας θα έδινε αυτή τη λύση, ή κάποια μπακάλικη που μπλέκει έννοιες για να βγάλει ένα κάποιο αποτέλεσμα. Τα προηγούμενα της Ηλεκτρονικής ΙΙ με κάνουν να τείνω δυστυχώς προς το δεύτερο...

Θα ήθελα να ακούσω τη γνώμη του κ. Χατζόπουλου ή του fugitive ως "συνυπεύθυνου" για το μάθημα πάντως. Ισως κάτι να το βλέπω και λάθος.


------
*** Η ανάλυση με υπολογιστή προχωράει επίσης γραμμικοποιώντας επαναληπτικά τη δίοδο με μια πηγή τάσης σε σειρά με μια αντίσταση, ουσιαστικά με την εφαπτομένη δηλαδή σε κάθε επαναληπτικό βήμα της χαρακτηριστικής της διόδου. Σε αυτή την περίπτωση όμως από τη μία η πηγή τάσης δεν θα είναι σταθερά 0.7V και από την άλλη ξεφεύγουμε... Δεν θα κάνουμε επαναληπτική επίλυση με το χέρι...

Ιανουάριος 2001 θέμα 2β) θέλω να ρωτήσω αν μπορεί κάποιος να μου απαντήσει αν ισχύουν τα παρακάτω που θα πω...
Eth=(R2+Re)*Vcc/(R2+R1+Re)
Rth=(R2+Re)*R1/(R2+Re+R1)

Ib=Eth-Vbe/(Rth+2(β+1)Re

Ξέρω ότι το τελευταίο για το ρεύμα βάσης φαίνεται περίεργο,αλλά στην προκείμενη άσκηση η αντίσταση R2 δεν καταλήγει στη γή αλλά στον εναν ακροδέκτη της Re.
Όποιος μπορεί να μου απαντήσει ευχαριστώ προκαταβολικά.

Στο 3.β Ιαν.2006 τι παίζει?έχω μπαρδευτεί γιατί δεν έχω καταλάβει τι είδους πόλωση έχουμε. Ποίοι τύποι ισχύουν για το Κύκλωμα? Αν μπορεί κάποιος να πει περιληπτικά πως λύνεται η άσκηση...

+1 στη Soso.Μπορεί κανείς να μας πει τι κάνουμε σε τέτοια συνδεσμολογία?Φαίνεται να μοιάζει με τον αναστρφέα c-mos αλλα μέσα στο βιβλίο δεν γίνετια ιδιαίτερη ανάλυση περι του τι ακριβώς συμβαίνει.

Ακόμα 1 απορία για παλιό θέμα. (Σεπτ.2006 3.β) . Εδώ πρέπει πρώτα να σχεδιάσουμε το ισοδύναμο? Η r_DS λογικά συνδέετε παράλληλα με g_mV_GS? Και η R_S1 παράλληλα με την R_S2 ?
Βοήθεια κανείς?

Υ.Γ. και πως είναι δυνατόν να μπαίνει άσκηση στις εξετάσεις με r_DS ενώ στο βιβλίο αναφέρεται μισή φορά σαν κάτι ασήμαντο? Μόνο με ψιλά ψιλά γράμματα δε το έχει γραμμένο

Nope.Rds παράλληλα με την gm*Vgs ΚΑΙ παράλληλα με την Rs1.Η Rs2 συνδέεται με τη "μύτη" της Vgs*gm σε ένα κόμβο που επίσης συνδέονται οι Rg και η Rs1 και το άλλο άκρο της είναι γειωμένο.Αν δεν κατάλαβες ακόμα πες μου να παω να κάνω κανα γελοίο σχηματάκι στο Paint..Ο τυπος βγαίνει πιο μεγάλος κι από ρινόκερος αλλά τεσπα...

hmmm.. Δεν είμαι σίγουρη αν κατάλαβα. Για κάνε το γελοίο σxηματάκι αν μπορείς.
thanx :)

Είναι παρόμοια η λογική με τον αντιστροφέα όντως (όπως και με οποιαδήποτε άσκηση με πάνω από 1 FET).
1) To M1  είναι σε συνδεσμολογία διόδου (Vds=Vgs) άρα είναι πάντα σε κορεσμό και ισχύει I=0.5*k*(Vgs1-Vt)^2.
2) Για το Μ2 το αν θα είναι σε κορεσμό ή στην ωμική εξαρτάται από την τάση στην εκροή του, που εξαρτάται από την Vgs1 (Vd2=Vdd-Vgs1)και άρα από το ρεύμα Ι. Συνεπώς ο μόνος τρόπος να προχωρήσουμε είναι να κάνουμε υποθέσεις για την περιοχή λειτουργίας του M2 και για την κάθε επίλυση να ελέγχουμε αν η υπόθεσή μας επαληθεύεται (ελέγχοντας πχ αν Vg2>Vd+Vt για ωμική περιοχή). Εαν ναι είμαστε οκ, αν όχι παίρνουμε την άλλη σχέση.

Στην άσκηση τώρα, για κάθε τιμή της Vin:
α) Υποθέτουμε ότι το M2 είναι σε κορεσμό (η πιο εύκολη σχέση) και άρα I=k(Vin-Vt)^2.
β) Βρίσκουμε τη Vgs1 από την I=0.5*k*(Vgs1-Vt)^2. Τότε Vout=Vd2=Vdd-Vgs1.
γ) Ελέγχουμε αν Vd2>Vgs1-Vt (ή Vg2<Vd2+Vt). Αν ναι τελειώσαμε. Αν όχι τότε το M2 είναι στην ωμική περιοχή και I=k((Vin-Vt)Vout-Vout^2/2). Όμως I=k(Vdd-Vout-Vt)^2 επίσης και άρα με αρκετές πράξεις βρίσκεται η Vout.

Ουσιαστικά το M1 λειτουργεί σαν μια μη γραμμική αντίσταση/φορτίο στο Μ2.

YΓ. Για Vin=0.5, 2V το M2 θα σας βγει σε κορεσμό, για 4.5V στην ωμική.

Το παραπάνω ισοδύναμο είναι λάθος (και καλά θα ήταν να σβηστεί...).
Το σωστό είναι:

@Netgull
Δίκιο είχες για το ισοδύναμο και για τη λογική της άσκησης με τα δυο FET και thanx γι αυτό,απλά έχεις μπερδέψει λίγο τους τύπους των FET.
Είναι I=k(Vgs/Vt -1 )^2 για τον κορεσμό(ή αλλιώς άνω της φραγής)
και Ι=Κ((Vgs-Vt)*Vds  -  (Vds^2) /2) για την ωμική περιοχή.

Οπότε αν κατα την υπόθεση μας καταλήξουμε σε άτοπο στο βήμα γ) εξισώνουμε τη σχέση κορεσμού για το Μ1 και τη σχέση της ωμικής περιοχής για το M2.Με αυτήν την εξίσωση και με αντικατάσταση προφανώς των:
Vgs1=Vdd-Vout
Vgs2=Vin
Vds1=Vout

θα προκύψει μια δευτεροβάθμια ως προς τη Vout.Τη λύνουμε και απορρίπτουμε τη λύση για την οποία έχω Vout=Vds1>Vin-Vt

Aυτό δεν εννοούσες?

Καλά το κατάλαβες. Οι σχέσεις μου είναι σωστές, με εξαίρεση ένα 1/2 που έλειπε από την εξίσωση κορεσμού ( θεωρώντας k=μ*Cox*W/L - το διόρθωσα). Τώρα τι εννοεί με το k ο καθένας... Βάλε όπου k=k/Vt^2 στη δικιά σου σχέση και έχεις τη δικιά μου. Χρησιμοποιώ τις σχέσεις με τη μορφή που τις βρίσκεις στα περισσότερα βιβλία. Το πως συμβολίζει τις σταθερές ο Κοντολέων δες το στο βιβλίο του.  Δεν αλλάζει κάτι στη λογική.

Εδώ βρίσκονται τα θέματα του Ιανουαρίου 2005
http://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item490
Εδώ βρίσκονται τα θέματα του Ιανουαρίου 2003
http://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item489

Η απορία μου είναι η εξής:
Γνωρίζω (ή τουλάχιστον έτσι νομίζω) ότι για να έχω Α=1, θα πρέπει να έχω συνδεσμολογία κοινού συλλέκτη, ενώ για να έχω A=-k, με k>>1, θα πρέπει να έχω κοινό εκπομπό. Τον Ιανουάριο του 2003, όντως, ρωτάει αυτό. Κάνουμε τη συνδεσμολογία, όλα οκ, ή τουλάχιστον και στο χαρτί οκ μου βγήκαν. Πώς γίνεται τον Ιανουάριο του 2005 να ρωτάει να βρούμε ακριβώς το ανάποδο; Κάνω κάτι λάθος; Σκέφτομαι κάτι λάθος; Δεν είναι και τα δύο τρανσίστορ PNP; Είναι κάποια άλλη συνδεσμολογία; Μήπως δε βλέπω κάτι καλά; Πώς ακριβώς το εννοεί όταν λέει "κατάλληλη προσθήκη πυκνωτή-αντίστασης" για να μου βγει αυτό το Α=-1;

Αυτές είναι οι λυμένες Sedra Smith που είχε ανεβάσει πέρυσι 1 παλληκάρι και είχε λυμένη και την άσκηση με τις 4 διόδους??
MARIE αν έχεις το αρχείο ξανα-ανέβασε το γιατί το link βγάζει error κ δεν ανοίγει...
Αν όχι ο Μάριος κάποιος τέλος πάντων που είχε κατεβάσει το συγκεκριμένο αρχείο μπορεί να κάνει τον κόπο να το ανεβάσει??????

Ουδείς; Κανείς; Κάποιος;

http://www.elab.ntua.gr/hlektron1.htm

Ξέρει κανείς πώς βρίσκουμε το σημείο λειτουργίας στο PSPICE? :???:

simulation settings>bias point

νομιζω...

Δε δουλεύει...

geia sas mporei kapoios pou eluse to 3o thema me ta mosfet stin fetini exetastiki febrouariou na mou pei pou leitourgei to M2 gia Vin=3 volt kai Vin=4.2 volt kai pos to brike?????
imoun omada A!!! eilikrina stin exetasi espasa to kefali m gia na to bro posi ora....

euxaristo polu!!!!

εγω που ημουν Β(ειναι ιδια με διαφορετικα νουμερα)για τα δυο πρωτα Vin το Μ2 ηταν στον κοροα και για Vin4.5 ηταν στην ωμικη περιοχη.Απλα υπεθετες σε ποια περιοχη ειναι  το Μ2(το Μ1 ειναι παντα στον κορο) βρισκεται και μετα παιρνοντας τις εξισωσεις των ρευματων(το ρευμα ειναι κοινο και για τα δυο τρανσιστορ)εβγαζες το Vgs1 και το Vds2 και παιρνοντας την αντιστοιχη ανισωση το επαληθευες.

Στο Β για το 3ο θέμα στην τελευταία τιμή που ήταν στην ωμική περιοχή, από τις δυο λύσεις της Vout ποια δεχόμαστε? Εγώ πήρα την πιο μικρή για να ισχύει πιο σίγουρα Vd<Vg-Vt

Ααααααχ, ήμαρτον με την πανευκολάρα..μα, επιτέλους,που βρήκε να κολλήσει το μυαλό μου! Κ να πεις ότι δεν το ξερα το θέμα?? Το ξέρα, αλλά γιατί ντε κ καλά να βρω γενικό τυπό?? ΓΙΑΤΙ? ΓΙΑΤΙ? Αφού το έβλεπα ότι δε γινόταν! Γαμώ το κέρατο μου δλδ. Αργκ. Νευρικός κλονισμό με έπιασε μετά! 3 απλούστατες περιπτωσούλες ήταν! ΑΠΛΟΥΣΤΑΤΕΣ!! Πάνε τσάμπα οι 2 μοναδούλες! (που πάτε μοναδούλες μου... γυρίστε σε μένααααααααα!)

Στην πρώτη περίπτωση που (για την ομάδα Α τουλάχιστον) Το Vgs2 ήταν 0,8 και το Μ2 δεν άγει καθόλου, η Vout που πάει;

Αυτό είναι το μόνο για το οποίο δεν είμαι σίγουρος ότι βρήκα σωστά... Είπα ότι αφού ΙD2=0 τότε και ID1=0 και άρα Vgs1=0 οπότε Vout=5. Ξέρω ότι δεν είναι σωστό αφού το Μ1 δεν άγει (ID1=0) για Vgs1 απο 0 έως και 1,2 Volt αλλά τι λέμε για το Vout; Οτι είναι αόριστο μεταξύ 3,8 και 5;

http://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item399 (http://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item399)
Μήπως μπορεί κάποιος να μου εξηγήσει πως λύνεται το 2β από τα παραπάνω θέματα???

τι ζηταει στο θεμα 2α του 2009 φεβρουαριου και ποια ειναι η απαντηση μπορω να βρω καπου στο βιβλιο??????????

Πέφτει ερκετά συχνά αυτό...δεν ξέρει κανένας πως λύνεται?

Παιδια ενα θεμα που εχει πεσει καποιες φορες (βλ. Σεπτ. 2006  (1-β) ), μπορει καποιος να το εξηγησει??

Να γραφουν τα βηματα της διαδικασίας σχεδιασης (και οι  αντιστοιχες εξισωσεις) ενισχυτη κοινου εκπομπου με πόλωση εκπομπου , ώστε το σημείο λειτουργειας του τρανζίστορ να είναι στο μεσο της ac ευθειας φόρτου. Δεδομενα θεωρούνται η τροφοδοσια Vcc , οι αντιστάσεις Rc & RE και τα χαρακτηριστικά του τρανζιστορ (β, VBE,ICQ). Mπορεί να εφαρμοστεί και να αξιοποιηθεί αντίστοιχη διαδικασία σε ενισχυτή κοινής πηγής;;;; εξηγήστε την απάντηση σας


Μήπως ξέρει κανείς την απάντηση;;;;

ΕΙΝΑΙ ΣΤΙΣ ΔΙΑΦΑΝΙΕΣ ΤΟΥ ΧΑΤΖΟΠΟΥΛΟΥ ΣΤΟΥΣ ΕΝΙΣΧΙΤΕΣ BJT.ΔΙΑΦΑΝΙΑ 16

ΜΗΠΩΣ ΜΠΟΡΕΙ ΚΑΠΙΟΣ ΝΑ ΜΟΥ ΕΞΗΓΗΣΕΙ ΤΟ ΘΕΜΑ 1β ΣΕΠΤΕΜΒΡΙΟΥ 2007.ΕΠΕΣΕ ΠΑΡΟΜΙΟ ΦΕΤΟΣ ΤΟΝ ΦΕΒΡΟΥΑΡΙΟ

η διοδος ειναι ιδανικη. με ταση
πανω απο 12V  αρχιζει και αγει
και μαλιστα ειναι βραχυκυκλωμα.
με ταση κατω απο 12 ειναι ανοιχτο
κυκλωμα και δε γινεται τιποτα.

Είναι μόνο το πρώτο σκέλος της ερωτησης εκει. Ξερει κανείς το δεύτερο, δλδ αν μπορει να αξιοποιηθεί σε ενισχυτές με FET?

αλήθεια,πριν ρωτήσετε ίδιο πράμα(για τα FET) καμιά 5 άτομα,δεν σας έκοψε να διαβάσετε τα προηγούμενα ποστ?

otan katevazo tis diafanies apo to etmmy mou zitaei kodiko kserei kanenas ton kodiko???

Φυσικά και μας εκοψε.

Το καλύτερο που μπορεσα να βρω ηταν μια απαντηση του Netgull (καλά να ναι) η οποία όμως είναι (κατα τη γνωμη μου) μεσοβεζικη κι όχι σαφής.

ΗΛ1

Αν μπορεί κάποιος να βοηθήσει στα συνημμένα, του χρωστάω αιώνια ευγνωμοσύνη!!

Αυτό με την κοινή βάση το έχω από το Α4 απλά αν μπορεί κάποιος να δώσει πιο αναλυτική λύση όσο αφορά την αντισταση εισόδου και εξοδου

η απάντηση του netgull είναι υπερπλήρης,άμα έχεις καμιά απορία σε αυτά που γράφει είτε στείλτου pm είτε γράψτην εδώ για να προσπαθήσω να σε βοηθήσω.

Από Netgull:

Σε ένα FET δεν μπορείς να εφαρμόσεις την κλασσική διαδικασία πόλωσης στο μέσο της "ενεργού" περιοχής, γιατί αυτό το "μέσο" δεν είναι εύκολο να υπολογιστεί (νομίζω ο Κοντεολέων/Χατζόπουλος έλεγε "δεν ορίζεται" η ενεργός περιοχή/το μέσο της), λόγω του ότι για τιμές της VDS μικρότερες από VGS-Vth το τρανζίστορ μπαίνει στην ωμική περιοχή (σε αντίθεση με το BJT, όπου για τιμές της VCE κοντά στο 0 το τρανζίστορ περνάει κατευθείαν στην αποκοπή). Το μέγιστο σήμα που μπορείς να έχεις χωρίς παραμόρφωση λοιπόν είναι αυτό που μόλις οδηγεί το τρανζίστορ στην ωμική περιοχή. Όταν το τρανζίστορ όμως μπαίνει στην ωμική περιοχή δεν έχεις ψαλιδισμό του σήματος (όπως στο BJT) αλλά αρχίζεις σταδιακά να έχεις παραμόρφωση. Αν θες να ορίσεις «ενεργό περιοχή» και «μέσο» μπορείς να το κάνεις, αφού πρώτα όμως ορίσεις που τελειώνει η ενεργός περιοχή και που αρχίζει η ωμική, ή με άλλα λόγια, τι επίπεδα παραμόρφωσης μπορείς να αποδεχτείς στο σήμα σου. Και οι πράξεις για κάτι τέτοιο δεν είναι καθόλου απλές...

Αυτά που γράφει ο Net τα καταλαβαίνω, η σαφής απάντηση (αναδιατύπωση: η απάντηση που περιμένει να δει ο Χατζόπουλος) ποια είναι; Πχ
-ΟΧΙ δεν μπορείς να εφαρμόσεις την κλασσική διαδικασία, γιατί δεν ορίζεται μέσο της ενεργου περιοχής (ή γιατί αυτό είναι δύσκολο να υπολογιστει) κλπ κλπ   [Σημείωση: άλλο δεν ορίζεται κι άλλο είναι δύσκολο να υπολογιστεί]
-ΝΑΙ μπορείς να την εφαρμόσεις αλλά έχει δύσκολες πράξεις και πρέπει να ορίσεις και το μέσο της ενεργου περιοχής  κλπ κλπ--> αυτό είναι που θα απαντούσα εγώ

Ο Net καλύπτει πολύ όμορφα το θέμα, η απορία μου είναι ποιο είναι το δια ταύτα;

Thanks!!!

http://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item583 (http://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item583)

Για το θέμα 1β είναι σωστή η παρακάτω απάντηση?

Δεν καταλαβα εκεί που λες αρχικά και μετά

Μια λύση που σκέφτηκα εγώ είναι συνημμένη

EDIT: Κοιτώντας καλύτερα είδα ότι έχουμε το ίδιο πράγμα  :D !! (Μάλιστα εγώ έχω ένα λάθος στο τέλος στο σχήμα αντί για 10V είναι 9.3V όπως υπολογίστηκε στην p1.jpg)

Ωραία πιο πολύ για το σχήμα την ανέβασα..
Όταν έλεγα αρχικά εννοούσα η αντίσταση στο κομμάτι απο -5 εως 10 volt.
Ευχαριστώ πολύ πάντως...

http://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item817 (http://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item817)

Η δίοδος εδώ πέρα άγει λογικά μόνο όταν το Vin είναι μεγαλύτερο από τα 12 Volt,δηλαδή στο χρονικό διάστημα Τ/12 εως 5Τ/12 επομένως το κλάσμα είναι 1/3.
Το μέγιστο ρεύμα της διόδου δίνεται από την σχέση:0,1*Id=12???
Ισχύει αυτό?Τη μέγιστη ανάστροφη πόλωση που εφαρμόζεται στα άκρα της διόδου  πως την  βρίσκουμε??

Κατά βάση είναι το πρώτο που λες,όχι δεν μπορείς να ορίσεις το μέσο της ενεργού περιοχής χωρίς πρώτα να βάλεις τι όρια σε παραμόρφωση θες και να πάρεις υπόψη 1 εκατομμύριο παράγοντες.Η ενεργός περιοχή δεν ορίζεται,διότι απλά διαφορετικά συστήματα έχουν διαφορετικές ανάγκες(πχ ένα ψηφιακό που το λογικό 1 είναι από 3,5 μέχρι 5V μπορεί να αντέξει καμπόση παραμόρφωση,ενώ ένας αισθητήρας ακρίβειας όχι)

Δεν την έχω δει αλλά νομίζω:

μέγιστη αναστροφη τάση: 24+12=36 V (είναι ήδη αναστροφα πολωμένη με 12V, πολώνεται με 24 επιπλέον κατά τη δεύτερη ημιπερίοδο)
για το κλασμα νομίζω είσαι οκ
για το μέγιστο ρεύμα: VD=Vs-12-100ID => για VD=0 (δηλ. όταν άγει) ID=(Vs-12)/100 άρα ΙDmax=(24-12)/100=...

Thanks!!

Μήπως μπορείς να βοηθήσεις και στα τρία θέματα που επισύναψα πιο πριν????
Plz!!!

Από πάνω προς τα κάτω(δεν κάνω πράξεις οπότε βάλε τα νούμερα και δες αν βγαίνουν όπως στα λέω εγώ)

1η άσκηση:

Επειδή Ig->0,μπορούμε να θεωρήσουμε ότι Id1=Id2.Από κει και πέρα έχουμε Vs1=Vd2.Σε αυτή την φάση λες ότι δεν υπάρχει περίπτωση και τα 2 να λειτουργούν σαν ενισχυτές,γιατί το κύκλωμα θα καεί σε χρόνο dt.Άρα το λες ότι το ένα FET είναι στην ωμική περιοχή(έστω το 1ο) και το άλλο λειτουργεί σαν ενισχυτής.Τώρα νομίζω πως έχεις αρκετές εξισώσεις για να λύσεις και να βρεις τα απαιτούμενα μεγέθη.Προφανώς αν φτάσεις σε άτοπο,αλλάζεις την υπόθεση σου

2η άσκηση:

(αν κατάλαβα καλά ρωτάς στο 2β πως θα βρούμε το σημείο λειτουργίας)

Για να βρούμε το σημείο λειτουργίας κάνουμε DC ανάλυση =>όλοι οι πυκνωτές είναι ανοιχτοκυκλώματα.Κάνεις ένα thevenin στην βάση και μετά γράφεις την εξίσωση από του βρόγχου γη->Eth->Rth->Vbe->Ieq->γη.Έτσι βρίσκεις το Ieq,και άρα έχεις και το Icq,τώρα λες ότι Vceq=Vcq-Veq=Icq*Rc-Ieq*Re


3η άσκηση:

Ψάχνεις το Rin και το Rout για το AC=>η τροφοδοσία είναι σαν να είναι γη.Έχοντας υπόψην ότι τα FET έχου τεράστια αντίσταση εισόδου(της τάξης των ΜΩ) λες ότι Rin=Rg||(Rf+Rd)||rin ~=Rg||(Rf+Rd).
Το Rout=Rd(αυτή την αντίσταση βλέπει μόνο το ρεύμα -κατά προσέγγιση- πριν φτάσει στην γη,που είναι η τροφοδοσία Vdd).

 ^super^

Στη 2 εννοούσα τις αντιστασεις εισοδου και εξοδου της συνδεσμολογίας κοινής βασης. Το σημειο λειτουργίας δεν ήταν δύσκολο.
Στο Α4 που τη λύνει την άσκηση αυτή χρησιμοποιεί εκείνο τον τύπο του ελεους ο οποίος είναι κάτι//(1/gm) και τον οποίο δεν μπορώ με τίποτα να αποδείξω. Ενώ βρίσκω την αντισταση εισόδου (και η μεθοδολογία είναι σίγουρα σωστή) το αποτέλεσμά μου είναι διαφορετικό από το κάτι//(1/gm). Κυρίως αυτό με ενδιαφέρει (να καταλάβω πως βγαίνει το κάτι//1/gm του τύπου στο βιβλίο και τις διαφάνειες) ώστε αν βάλει CB αλλά όχι το γνωστό κλασσικό κυκλωμα με διαιρέτη τάσης να μπορώ να βρω την Rin έχοντας στο μυαλό μου τη μεθοδολογία.

Σ'ευχαριστώ!!!

Rin=rin||Re||1/gm. στον "κλασσικό" ενισχυτή κοινής βάσης.

Το Gm ξεφύτρωσε επειδή προσπαθείς να "μεταβείς" από την είσοδο(εκπομπός) στην έξοδο(συλλέκτης)  και άρα η αντίσταση που βλέπεις σε αυτή την μετάβαση(αν εξερέσεις την Re και την rin που τις έχουμε βάλει ήδη) είναι Ic/Vce που είναι ο ορισμός του 1/gm

Το 2)β)ii  από τα θέματα Σεπτεμβριου 2008 το έχει λύσει κανείς;  :???:

Ρε συ God, σορρυ για το πρήξιμο αλλα δεν το καταλαβαίνω αυτό που λες. Καταρχας στις διαφάνειες λέει Rin=RE//rin και rin=(rbb'+rbe)//(1/gm) που δε συνάδει με αυτό που λες. Επίσης, από που προκύπτει ότι ο ορισμός της διαγωγιμότητας είναι Ιc/Vce; Στου κοντολέωντα αλλά και στο Sedra Smith δε βρήκα κάτι τέτοιο.

Ρίξε λίγο μια ματια στο συνημμένο

το rin κατά βάση είναι και λίγο....γραφειοκρατικό....Τι εννοώ: μπορείς να πεις πχ στον κλασικό ενισχυτή κοινού εκπομπού Rin=R1||R2||rin||(β+1)Re αν ορίσεις το rin=rbb'+(β+1)rd ,αλλά Rin=R1||R2||rin αν ορίσεις rin=rbb'+(β+1)(rd+Re).

Τώρα που δίνει τον ορισμό της gm στο βιβλίο δεν θυμάμαι,και δεν έχω εύκαιρο το βιβλίο.

Κάτι έχω πάθει τις τελευταίες μέρες και γράφω μ@λ@κίες από απροσεξία. Στο συνημμένο που έβαλα ένα ποστ πιο πάνω, στο δεύτερο κύκλωμα (ισοδύναμο του πρώτου), όπου Rs είναι RTH (κι όχι Rs) και η πηγή είναι ΕΤΗ

God νομίζω δεν είσαι σωστός. Η rin είναι συγκεκριμένη έννοια (η αντίσταση εισόδου του τρανζίστορ). Όταν έχεις ένα δεδομένο κύκλωμα δεν μπορείς να "ορίσεις" την rin όπως θες, γιατί την ορίζει το κύκλωμα με συγκεκριμένο τρόπο και σχέση. Επίσης, οι τύπου που δίνεις ξαναδέστους, δεν είναι ...(rd+RE) στην αντίσταση εισόδου CB.

Για το συνημμένο μόλις πιο πάνω που δίνει άλλα αποτελεσματα από αυτά των διαφανειών, υπάρχει κάποια ανταπόκριση απο κάποιον????

το rin είναι η αντίσταση εισόδου του transistor,αλλά που αρχίζει και που τελειώνει το bjt???Στο rin πολλές φορές μέσα βάζουμε και την Re(αντίσταση εκπομπού) πράγμα που αν είσαι "των τύπων" δεν είναι σωστό γιατί η Re είναι εξωτερική αντίσταση.Έλα μου ντε όμως που το κάνουμε.... :P

οι τύποι που έγραψα στο προηγούμενο ποστ μου ήταν για CE ενισχυτή,όχι για CB.

God I'm sorry but I have to insist :)

Η αντίσταση εισόδου του τρανζίστορ προφανώς και επηρεάζεται και από τις εξωτερικές αντιστάσεις του κυκλώματος. Και κάθε φορά είναι συγκεκριμένη, πχ στoν CE είναι η αντίσταση μεταξύ Β (η "αρχή" που λες)και γης.

(τον ορισμο της διαγωγιμοτητας τον δινει εκει που περιγραφει
το ισοδυναμο του τρανζιστορ.)

Μπορεί καποιος να με πει πιο ειναι το κύκλωμα αντιστροφεα;;;;;;και που βρισκεται στο βιβλίο;;;;

σε΄λ 133

http://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item1193

Φεβρουάριος 2009 θέμα 1β
το κλάσμα της περιόδου της Vs που η δίοδος άγει βγαίνει T/4???

Τόσο εβγαλα κι εγώ.

Παίδες heelp! Επειδή δεν έχω όρεξη να κάθομαι να ψάχνω στο βιβλίο του Spice ξέρει κανείς την απάντηση στην εξής ερώτηση:
"Πως μπορούμε να ορίσουμε αρχικές τιμές τάσης ή ρεύματος σε πυκνωτές ή πηνία, αντίστοιχα?"
thnx προκαταβολικά  :)

http://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item1160

χαχα thnx a lot! εγώ είχα παλιό version του αρχείου και δεν είχε αυτήν την ερώτηση... είχε μόνο τις υπόλοιπες :) :P

Παιδιά έχω μια σημαντική απορία...αν μπορεί κάποιος ας με βοηθήσει.
Όταν σε ενισχυτή κοινού εκπομπού μας δίνει το Vcesat τότε αν δεν είναι πρόβλημα σχεδίασης(οι αντιστάσεις R1 και R2 είναι γνωστές) απλά το αγνοούμε?Αυτό το διάβασα στις σημειώσεις του Α4 στην σελίδα 87 αλλά δεν είμαι σίγουρος αν όντως ισχύει.
Αν το πρόβλημα είναι σχεδίασης και πρέπει να βρούμε το Icq,ώστε να έχουμε την μέγιστη δυνατή διακύμανση,αυτό το βρίσκουμε από την σχέση
και μετά δουλεύουμε κατά τα γνωστά?

Σεμπτεμβρης 2012 το Β..... Θεμα 3 πως βρισκουμε το Ro

ενα hint Σεπτεμβρη του 13 και 14 πρωτα θεματα!
καποιος??

Υπάρχει παρόμοιο θέμα αν κατεβάσεις από τα downloads το αρχείο με όνομα Συλλογή παλαιών θεμάτων Ηλεκτρονικής Ι στην σελίδα 14.

Θεμα 1 Φεβρουαριος 2014 θα ανεβάσω και το 2 σιγουρα ή πιο αργά ή αύριο

Edit: Και το 2 εδώ, απο αύριο το 3

Edit2: Και το 3 έφτασε φρέσκο, ανεβαίνουν και downloads για ευκολία

Γενάρης 2012,θέμα πρώτο,β ερώτημα το αποτέλεσμα είναι 17.8%;;;

Παιδιά στα θέματα του Ιουνίου 2014 το 1 θέμα πως λύνεται?

Κάπως έτσι φαντάζομαι

Edit: Βάζω και το 2 εδώ και μιας και το 3 είναι ίδιο με του Φεβρουαρίου δεν το ανεβάζω, πάνε κι αυτά στα Downloads.

η rco στο υβριδικό στην 2η ασκ χρειάζεται? αν θυμαμαι καλα η καδή δεν την έβαζε και γενικά δεν την χρησιμοποιούσε στους υπολογισμούς!

για ποια ομαδα εννοεις? Για την ομαδα Α παντως εβγαλα -1.32% στο δευτερο ερωτημα.
Για το πρωτο βγαζω 0.97% .

Κοίταξα σε σημείωσεις και τετοια και απ'ότι είδα το βάζει αλλά δεν το υπολογιζει (αλλα και παλι τι υπολογιζει η καδη;). Η δικιά μου πρόταση είναι να το βάζεις και αν έχεις και Va (Early) να το υπολογίσεις. Αν δεν δίνεται το Va μπορεις να το παραλείψεις αλλα να φαίνεται στο υβριδικό τουλάχιστον.

ναι τωρα που το σκεφτομαι η ταση Vα μονο για το ro χρησιμευει οποτε όντως καλυτερα να το βάζουμε!

παιδες μια βοηθεια με το 2ο θεμα του Φεβρουαριου 2012(Α) που λεει με την πολωση στο μεσο της DC ευθειας φορτου .. Τι κανουμεε??  :???:

υπάρχει πουθενά κάποιθα αντιστοίχιση θεμάτων με τις ασκήσεις από σέντρα? ή αν εχει βρει κάποιος ας ανεβάσει εδώ!!
π.χ. θεμα 2 φεβ 2014 - ασκ 5.131 απο σεντρα
       θέμα 3 σεπ 2014 - ασκ 6.129 σεντρα

Ερώτηση θεωρίας: 3ο θεμα 2013 (Σεπτεμβριος και παντου)

Με χρήση χαρ εισόδων-εξοδων να εξηγηθει σε ποιες περιοχες λειτουργιας μπορει να λειτουργει το n-Mos τρανζιστορ πύκνωσης Q1 ή Q4. (το ιδιο ειναι)

Το Q έχει βραχυκυκλωμενα τα G και D

Καμιά ιδέα;

ως τωρα εχω δει: φεβρ2014: 1ο θεμα- 3.25 σελιδα 222,2ο θεμα 5.131 σελιδα 534,
φεβρ 2013: θεμα 2ο- 5.143 σελιδα 536.
και αν βρω αλλα το ανανεωνω !

edit: Vpap πολλα θενξ για τις λυσεις! μια μικρη διορθωση νομιζω μονο, στου ιουνιου 2014, στο τελος που υπολογιζεις το ΔIout σου ξεφυγε ενα /R στο Ιout και βγαινει αλλο αποτελεσμα  ;)

Στα λυμένα θέματα mos,στο δεύτερο θέμα γιατί το V_GS=1.9V;

Χμ... Ναι, είναι 80μΑ και τα τα 2 ρεύματα για να βγουν αυτά τα νούμερα. Ή άλλαξε η Καδή τα νούμερα ή φαντάστηκα 20μΑ παραπάνω. Θα το προσθέσω στην περιγραφή με ότι άλλο βρεθεί...

Τσέκαρε την κι από τον Εxomag σελ.10 που τα νούμερα είναι οκ.

Edit: Άκυρο το σχόλιο. Ελάχιστη V_DS: 0.9V, μέγιστη διακύμανση από την υπάρχουσα V_DS: 1V. Τα ίδια λέμε.

Απ' την λύση της χαρακτηριστικής βγαίνει 2 νομίζω...Άρα έχουμε ψαλιδισμό;

Από τη λύση της εξίσωσης βγάζεις (για 80μΑ) βγάζεις V_GS1=1.894V για την ακρίβεια. Με όλη τη λογική που περιγράφεται λόγω του καθρέπτη,ταιριασμένων mos κλπ, φτάνεις σε V_DS2=V_GS1=1,894V. E, και θες να ναι μεγαλύτερο του V_GS2-V_t=0.894V, που πράγματι είναι αυτή τη στιγμή. Κανένας ψαλιδισμός δηλαδή (άλλωστε DC είναι όλα).

Αν έβαζες όμως κι ένα AC σήμα πχ από πάνω θα μπορούσε να πάει συνολικά μεχρι τα 0.894 από κάτω άρα 1V max πλάτος (από πάνω δε θα χες θέμα μέχρι το V_DD που αντιστοιχεί σε μεγαλύτερο περιθώριο)

Αα οκ... Σ'ευχαριστώ πολύ... Έλυσε η Καδή ασκήσεις με υβριδικά στα mos;

Σεπτέμβρη 2013 1ο θέμα κανείς; :(

2 ερωτήσεις:
1.Στο 1ο θεμα μήπως παίρνεις ανάποδα τα Is1 και Ιs2? γιατι γράφεις Ι2=15Ιs κλπ
2.Στο 3ο θέμα,γιατί η Rout ειναι r01//r02 και όχι μόνο η r01?γενικά όταν παίρνεις Rout δεν υπολογίζεις το φορτίο,τώρα που το φορτίο υποτίθεται ότι ειναι η r02 γιατι την συμπεριλαμβάνουμε?

Οταν η συναρτηση ρευματος-τασης της διοδου ειναι οπως στο σχημα τοτε ουσιαστικα εχεις μια αντισταση σε σειρα με την διοδο.
Για να αγει η διοδος θες Vin>=0.65V.
Απο εκει και πανω μπορεις να παρεις τον διαιρετη τασης για την VR=Vout
Βγαινει Vout=0.98Vin.
Για Vin=10v βρισκεις το πανω οριο της Vout=9.8
και εχεις ακομα ενα σημειο οτι για Vin=0.65 , Vout=0

Για το δευτερο τωρα δεν ειμαι και πολυ σιγουρος.
Κανεις μια ημιτονοειδη γραφικη παρασταση με πλατος 10 σε μια περιοδο.
Η Vout θα ειναι και αυτη ημιτονοειδης.Θα υπαρχει ομως μονο για θετικες τιμες(λογικο γτ πρεπει να αγει η διοδος για να εχουμε Vout),
θα μηδενιζει οποτε η Vin γινεται 0.65 και θα εχει μεγιστο πλατος 9.8V.

Για τις χαρακτηριστικες τιμες ειχα την εντυπωση οτι εννοει τα σημεια που τεμνονται οι δυο παραπανω καμπυλες...Σε εμας δεν τεμνονται οποτε δεν ξερω τι παιζει  :-\

Again ?

Ευχαριστώ πολύ!

+1

Την ιδια απορια ειχα και εγω...
Νομιζω ομως οτι παιρνεις Vcq=Vcc/2.
Απο το διαγραμμα της DC ευθειας παντως αυτο προκυπτει

και εγω το ιδιο εβγαλα απο την ευθεια φορτου στη μεση αντιστοιχει το V_CEQ=5 V και I_CQ=1mA και απο εκει υπολογιζεις το V_CQ  κλπ.
Σε μια παρομοια ασκηση στο ILektroniki.pdf (που σου δινει ξεκαθαρα το Vc) δινει μια σχεση για τα R1+R2. Εδω δεν δινει τιποτα. Θα μπορουσαμε να κανουμε Thevenin  και να πουμε οτι Εth/Rth = I _B ??

Οταν δεν σου δινει καποια σχεση για R1 και R2 τοτε θεωρεις οτι η R2=10Re ωστε να ειναι σιγουρα σωστη η πολωση.

Θα ασχοληθω σε λιγο και θα σου πω τι εκανα  ;)

Edit:
Τελικα μπορεις οντως να βρεις μονο μια σχεση για τις δυο αντιστασεις.Οποτε χρησιμοποιεις και την σχεση  R2=10Re.
Την συγκεκριμενη σχεση χρησιμοποιει και αυτος στο pdf με τα λυμενα οταν δεν μπορει να βρει αλλη σχεση για τις αντιστασεις.

Οκ θενξ  ;) αυτό με το thevenin που είπα πιο πανω είναι λάθος σαν ιδέα?  :P

Σωστο μου φαινεται.Αν δεις και την σελιδα 438 σου sedra/smith κατι παρομοιο κανει

Edit: βεβαια αυτος παιρνει και διαφορετικες παραδοχες(αν διαβασεις απο την αρχη της υποενοτητας θα καταλαβεις)

Επειδή Vd=Vg άρα και Vds=Vgs,σίγουρα θα είναι πάντα στον κορεσμό ( Αφου πρέπει Vds>Vgs-Vt -> -Vt<0 ισχύει πάντα) Tώρα τι εννοεί να χρησιμοποιήσεις χαρακτηριστικές εισόδου εξόδου δε καταλαβαίνω,απλά να κάνεις και μία καμπύλη για να δείξεις το παραπάνω,το οποίο είναι προφανές?

ετσι ειναι νομίζω. δες εδω http://cgi.di.uoa.gr/~arapogia/ile3.pdf διαφάνεια 25!

Πόσο βγάλατε την R στο πρώτο θέμα?

Ομάδα Α, την έβγαλα 58 και κάτι Ω

Sweet. Και εγώ τόσο.

Αν μπορείς πες και κάνα νούμερο για τα υπόλοιπα στο β θέμα.
Η έστω ένα σχόλιο για τις μεταβολές των Rin και Av

Δεν είμαι καθόλου σίγουρος για αυτά τα ερωτήματα γιατί παίζει να έχω πάρει λάθος R_b'b . Πάντως το Α_v το ένα μου έβγαινε 0,98 και το άλλο 0.994 ή κάτι τέτοιο

και γω κάπου τόσο βρήκα απλά πρέπει να είναι λάθος γιατί απ' ότι είδα και στον Σέντρα, στην Rin έπρεπε να συνυπολογίσω και την Rb.

Ας πήρα το 5άρι μου και δεν με νοίαζει...

Παιδιά παίζει να ανεβάσει κανείς τα θέματα του φεβρουαρίου (2015)??? Θα μας βοηθούσαν αρκετά...

+1

μπορει καποιος να εξηγησει τον ενισχυτη κοινης πηγης με ενεργο φορτιο,δεν το εχω βρει πουθενα σε σημειωσεις και οι διαφανειες χατζοπουλου δεν βοηθανε

Ευχαρίστουμε για τα λυμένα που ανέβηκαν σημερα απλά στο 2ο του Φεβρουαριου 2013 (σελ 35) πρεπει να υπαρχει λάθος γιατί στην λύση της 5.143 απο το βιβλίο βγαζει διαφορετικα αποτελέσματα.

Μήπως ξέρει κανείς ποια είναι η συνθήκη όταν ένα τρανζίστορ λειτουργεί στη γραμμική περιοχή;

ΓΙα διπολικό : Vce > Vce_sat=0.1-0.3

Για MOSFET :  Vds > Vgs- Vt

Για JFET : Vds > Vgs -Vp

Ας επιβεβαιώσει κάποιος

ετσι ειναι για τυπου n τραντζιστορ. για τυπου p αλλαζει η ανισοτητα

Σεπτέμβρης 2014, 1ο Θέμα. Υπολογίζω την R2 και βρίσκω τις τιμές ανάμεσα στις οποίες πρέπει να κυμαίνεται το Vin. Λογικά μετά θα πρέπει να τοποθετήσω μια δίοδο παράλληλα στην R2 ώστε να μην ξεφεύγει το Vout από τις επιτρεπόμενες τιμές. Πώς ξέρω αν θα πρέπει να τοποθετήσω ή όχι και πηγή τάσης??

Βοήθεια κανείς για 1ο θέμα Σεπτέμβριος 2014?? Πώς ξέρουμε αν χρειάζονται πηγές τάσης?

Η λύση λογικά είναι αυτή στο συννημένο

Η 3.101 του βιβλίου είναι ιδια και την λύνει με αυτόν τον τρόπο.

έχει λύσει κάποιος το 2ο Ιανουαρίου '12? παίρνουμε το ic=vcc/rac+rdc αλλά για rac και rdc τι? Επίσης πως βρίσκουμε rout?

Δες στα download "Ηλεκτρονική Ι - Συλλογή παλαιών θεμάτων" σελ 39

Φεβρουάριος 2014 (από το αρχείο λυμένων 2011-2015 σελ.21/42)

Θέμα 3ο :

α) Με τη χρήση χαρακτηριστικών εισόδου εξόδου να εξηγηθεί σε ποια περιοχή λειτουργίας μπορεί να λειτουργήσει το p-ΜΟS τρανζίστορ πύκνωσης Q3 .

Tι κάνουμε ;

Επίσης ούτε στο β καταλαβαίνω τι γίνεται, αν μπορεί κάποιος να εξηγήσει ;

Σίγουρα υπάρχουν πολλά λάθη (αριθμητικά και μη), απλά είναι ένας μπούσουλας για το πως να κινηθούμε. Όποιος/α έχει να διορθώσει κάτι κακό είναι να το κάνει.
Ό Φλεβάρης 13 έχει για β 60 ως 180 όπως είναι λυμένο, η 5.143 το έχει για β 40 ως 200

Πάνε Sedra/Smith 583-585 και δες ότι θεωρεί τα Q2 και Q3 ταιριασμένα δηλαδή (W/L)₂ =(W/L)₃ (σελ.585 αρχή), αυτό είναι και το τρικ για να λυθεί το 3β) του Φεβρουαρίου του 14

Για το α) πρέπει να είναι ερώτηση θεώριας με απάντηση όπως στην σελ 4 του pdf με τις απαντησεις θεωρίας

υπάρχει κάποιος εύκολος τρόπος να καταλαβαίνουμε πότε είναι κοινού εκπομπού και πότε κοινού συλλέκτη; ειδα τα σχηματα το βιβλίου αλλα ακόμη μπερδεύομαι

Bλεπεις σε πιο ακροδεκτη ειναι η εισοδος σε ποιο η εξοδος και το ποδαρακι που δεν εχει τπτ απο τα δυο δινει την ονομασια κοινου (ονομα ακροδεκτη)

Φεβρουάριος 13 Θεμα 2α: Η εξίσωση του ρεύματος για την πηγη ρεύματος Widlar με n-mos είναι ίδια με πηγη ρεύματος Widlar με BJT?

νομίζω όχι. εγώ βρήκα μια με ρίζες από τις διαφάνειες του μαθήματος! έκανε φέτος τίποτα για τις Η παραμέτρους;

παιδιά μια ερώτηση στο 1ο θέμα σεπτ. 12 στα λυμένα 2011-2015 στο α) λέει ότι ν=id2*R2 +5 και στο β)  ν=id2*R2 -5 πιο είναι το σωστό;

Μπορεί να απαντήσει κάποιος με σιγουριά,όταν μας ζητάει τις περιοχές λειτουργίας ενός MOS με χρήση χαρακτηριστικών εισόδου-εξόδου πρέπει να κάνουμε το διάγραμμα id-vd ή το διάγραμμα vo-vi  ?

Στα θέματα του Ιανουαρίου του 2012, στο πρώτο θέμα με τις διόδους νομίζω ότι οι λύσεις που είναι ανεβασμένες για το δεύτερο υποερώτημα είναι λανθασμένες. Στο δεύτερο εγώ βγάζω ότι η D1 δεν άγει και άγει μόνο η D2, ανάποδα δηλαδή με αυτό που είναι ανεβασμένο.

Απορια, σεπτεμβριος 2002
στο θεμα με τις 2 διοδους παραλληλα

η ταση Vo πως προκυπτει 2.8 Volt

(δε ξερω τι νουμερο θεμα ηταν)

ΕΔΙΤ: λυθηκε

Γενικά οι λύσεις έχουν κάποια  λάθη.Σε μία άσκηση θεωρίας λέει να αναφέρουμε τη λειτουργία p-mos-transistor,αραίωσης ξέρει κανείς τι λέμε; Γτ στις διαφάνειες έχει μόνο για p-mos πύκνωσης.

Από το αρχείο με τα λυμμένα, στο 1ο θεμα του 13, το γ είναι τελείως λάθος ή είναι ιδεα μου;

To rd πως το βρίσκουμε στην DC ανάλυση?

Υπάρχει κάποιος που θα μπορούσε να μας πει -έστω και στο περίπου- τι ζήτησε στην εξεταστική Φεβρουαρίου 2015;

Χωρίς να είμαι σίγουρος,τα θέματα ΒJT και FET ήταν ίδια/σχεδόν ίδια με παλιά.Η δίοδος ήταν λίγο διαφορετική και θεωρία δε θυμάμαι.

Θεμα 1ο φεβρουαριου 2014 γιατι παιρνει το Is1=15*Is2 και οχι 10*Ιs2? ξερω οτι υπαρχουν λαθη γενικα, αλλα κανεις δεν το ανεφερε ως τωρα απ'οσο ειδα, οποτε μαλλον εγω δεν καταλαβαινω κατι.

Δεν κατάλαβες λάθος. Μάλλον έχει λύσει τα θέματα της ομάδας Β εκείνης της εξεταστικής, όπου όντως λέει 15πλασιο αντί για 10πλασιο. Γενικά, οι διαφορές μεταξύ των δύο ομάδων θεμάτων κάθε χρονιάς είναι κάτι τέτοια χαζά αριθμητικά.

Σεπτεμβριος του 15 3ο θεμα, στον ελεγχο dc δεν κλεινει κυκλωμα πουθενα και απλα απο τα vgs και vds προκυπτει οτι λειτουργουν και τα 2 mos στην ωμικη περιοχη. Μετα δε μπορω να κανω καμια αντικατασταση σε ac ελεγχο με το ib. Αν το εχει δει κανεις ας πει που υπαρχει λαθος.

Θα ήθελα μια βοήθεια σχετικά με το 2ο θέμα της εξεταστικής Φεβρουαρίου του 2016.

Έδινε λοιπόν μία πηγή ρεύματος Wilson...
(http://en.wikipedia.org/wiki/File:Bare_Wilson_Current_Mirror_anotated_for_explanation_of_operation.gif)
https://en.wikipedia.org/wiki/File:Bare_Wilson_Current_Mirror_anotated_for_explanati on_of_operation.gif (https://en.wikipedia.org/wiki/File:Bare_Wilson_Current_Mirror_anotated_for_explanation_of_operation.gif)
έδινε το V_BE και το β, και ζητούσε ν' αναλυθεί το κύκλωμα.

Εγώ να ρωτήσω το εξής: Αν έχουμε δεδομένη τη V_BE, δεν πρέπει να θεωρήσουμε ότι είναι σταθερή; Και, αν θεωρήσουμε ότι είναι σταθερή, δεν πρέπει να θεωρήσουμε ότι είναι ανεξάρτητη του ρεύματος συλλέκτη που διαρρέει το διπολικό;

Ρωτάω επειδή, και στη wikipedia και στο βιβλίο των Sedra-Smith που κοίταξα, η λύση του κυκλώματος ξεκινάει με τη φράση "Απ' τη στιγμή που τα δύο διπολικά θα έχουν ίδια V_BE, θα διαρρέονται αναγκαστικά από το ίδιο ρεύμα..." το οποίο είναι ασύμβατο με την υπόθεση σταθερής V_BE. Υπάρχει τρόπος να λυθεί το θέμα αν θεωρήσουμε τη V_BE σταθερή; Αλλάζει κάτι στην αναλυτική έκφραση του ρεύματος εξόδου αν η θερμοκρασία αυξηθεί;

Ευχαριστώ εκ των προτέρων.

Αυτο το 1ο θεμα με διοδο που εχει πεσει feb16/sep16 υπαρχει πουθενα λυμενο;
Επισης το 1ο θεμα sep13

Οσον αφορα στο 1ο θεμα του 2016  σε προηγουμενο ποστ ειπωθηκε οτι ειναι η 3.101 του βιβλιου [δεν τη βρισκω] και επισυναψε το εξης:

danke! ξες στο pdf του χατζοπ με τις λυμενες ασκησεις (copy paste απο Sedra Smith λυσεις)  στην σελιδα 10 την πρωτη σειρα που λεει Ιε=(9-0.7)/[1+100/(β+1)] πως βγαινει;

Ποιο pdf λες; Το Luseis-askiseon-gia-enisxutes-OK? Δε βρισκω στη σελιδα 10 αυτο που λες  :???:

Στο στελνω. Επισης στην σελ 11 τελευταια ασκηση δλδ μηπως το Au το βρισκει λαθο; Απο που και ως που R_L+Rc//ro? και οι 3 παραλληλες δεν ειναι;

http://www41.zippyshare.com/v/56fL46ID/file.html

Δεν το ειχα παρει χαμπαρι αυτο το pdf, ευχαριστω αν και δεν ξερω αν θα το ασχοληθω. Προσπαθω να ριξω βαρος μονο στα παλια θεματα μιας και εχει μιαμιση μερα μεχρι την εξεταση. Μονο με διοδους και Fet προλαβα να ασχοληθω, στο πνευμα των BJT θα εχω μπει αργα το απογευματοβραδο. Ελπιζω...  :D

Ολα αυτα σε αυτο το pdf ειναι παλια θεματα. Ολα, οποτε διαβασε τα :P εστω απεξω.

Στην ερωτηση θεωριας "Επαφή p-n: περιοχή αραίωσης, πυκνότητα φορτίου και φράγμα δυναμικού" εχει καποιος ιδεα που αναφερεται το "πυκνοτητα φορτιου";

Παίδες, μήπως έχει κάποιος/α τα θέματα πτυχιακής του ιούνη να κάνει την παλικαριά;

Να ρωτήσω. Στο θέμα 1, Φεβρουάριος 2016 με τις διόδους, θα έχουμε δύο κλάδους επιπλέον, έναν με άνοδο διόδου και θετικό πόλο πηγής προς το πάνω, και έναν με κάθοδο διόδου και αρνητικό πόλο πηγής προς τα πάνω. Οι τάσεις των πηγών πως βρίσκονται με δεδομένου ότι η δίοδος δεν είναι ιδανική αλλά έχει και αντίσταση; Δεν μπορώ να βγάλω σύστημα εξισώσεων που να το λύνει  :-[

Τα σχήματα για την ερώτηση θεωρίας: Διάσπαση ένωσης p-n, πού είναι στο βιβλίο ;

Δε χρειάζεται, δες τη λύση που έχει πιό πάνω, απλά αγνοείς τη δυναμική αντίσταση και τη λαμβάνεις υπ'οψιν σου στο διάγραμμα In-Out

Επίσης έχει λύσει κανείς το θέμα 2β, Σεπτέμβρης του '15;

Λοιπον στο 1ο θεμα στου Σεπτεμβριου 2012(Β),(θα κανω και attach το θεμα ), επειδη εχω χαθει λιγο με τις διοδους ,εχω μια απορια..Κλασσικα θεωρουμε οτι αγουν και οι δυο διοδοι,οι οποιοι ειναι μοντελα σταθερης πτωσης . Η λογικη δεν ειναι οτι αν άγει η διοδος D1 τοτε ο κομβος απο πανω της θα εχει δυναμικο Vd =0,6 V ή λογικη ειναι οτι πρεπει πανω στον κομβο να εφαρμοστει ταση πανω απο 0,6 V ωστε να αγει η διοδος ?

εχει λυσει κανεις το 1ο θεμα φεβρουαριου 2016?

Oυσιαστικα βαζεις παραλληλα δυο πηγες και δυο διοδους για να εχεις "ψαλιδισμο".Εχει λυμενο αντιστοιχο θεμα στα Downloads !

απλα επειδη δεν ειναι ιδανικες οι διοδοι δν μπορω να χω σταθερη ταση στα ακρα τους,αφου αυξανοντας τη Vin αυξανεται το ρευμα που διαρρεει τις διοδους.

Eννοεις πραγματικη γραμμικη διοδος μαλλον.Νομίζω την γραφικη την χρησιμοποιεις στο 2ο ερωτημα.

δηλαδη αρχικα θεωρω οτι οταν αγει κραταει στα ακρα της 0.6 Volt?
ευχαριστω

Έχει καταλάβει κάποιος καλά πως βγαίνει το π-ισοδύναμο με το οποίο λύνονται τα περισσότερα bjt θέματα? Αν μπορεί ας πεί κάποιες οδηγίες ή έστω απο πού το διάβασε και το κατανόησε  :o

Δες σελίδες 448, 449 και 459 απο το sedra smith. Γενικά το βιβλίο κατά την άποψή μου είναι πολύ καλο αλλά πρέπει να έχεις χρόνο να του αφιερώσεις.Κατ' εμέ θέλει τουλάχιστον 10 μέρες καλού διαβάσματος για να κατανοήσεις την υλη από το βιβλίο και να τη θυμάσαι μετα.

Έχει λυμμένα κανείς τα περσινά του Φλεβάρη;

Στις ερωτήσεις θεωρίας για τις Wildar και Wilson έχει βρει κάποιος τις λύσεις?  Στο φυλλάδιο της θεωρίας λέει κάποια πράγματα για Wilson αλλα αλλά δεν είναι όλα.

Δες απο το βιβλιο σελίδες 651 - 655 και αν θελεις τσέκαρε και τις διαφάνειες των παραδόσεων, όχι ότι λένε κάτι παραπάνω. Νομίζω είναι στις διαφάνειες που αναφέρεται στην πόλωση των FET και των BJT

πρεπει να θυμομαστε τους τυπους για  wilson και widlar?

Πιστεύω ναι για ερώτηση θεωρίας. Βασικά καλό είναι να ξέρεις να τους βγάζεις κιολας για να μην θυμασαι απεξω πολλά πράματα.

Σε ευχαριστω..

Να ρωτησω και κατι ακομα,που μπορω να βρω την απαντηση στην ερωτηση: "Με τη χρηση των χαρακτηριστικων εισοδου και εξοδου να εξηγηθει σε ποιες περιοχες μπορει να λειτουργησει nMOS τρανσιστορ πυκνωσης.

Εχει κανεις τη λυση απο το ΘΕΜΑ 2 Σεπτεμβριος 2014 ???

ειναι 2 pdf θεωριας στα downloads ... εινια η τελευταια ερωτηση κι στα 2

ωραιος !!!  ;)

Στις ερωτήσεις θεωρίας: όταν λέει για τη σχεδίαση του ενισχυτή κοινού εκπομπού και αν η ιδια διαδικασία μπορεί να εφαρμοστεί και να αξιοποιηθεί σε ενισχυτή κοινής πηγής τι απαντάμε?? από παλιά ανάρτηση του Netgull λέει ότι δεν μπορεί να εφαρμοστεί  αλλά δεν εξηγεί τον λόγο.


 ΠΡΟΣΟΧΗ!! η ερώτηση για το αν μπορεί να εφαρμοστεί και να αξιοποιηθεί η διαδικασία πόλωσης στο μέσο ενεργού περιοχής σε ενισχυτη  FET είναι διαφορετικη.

Ευχαριστώ εκ των προτέρων.

Παιδιά, Rdc,Rac πώς βρίσκω? PLease βοηθήστε...

μπορεί να λύσει κάποιος αναλυτικά το 1ο  θέμα Σεπτεμβρίου του 12,??? συνημμένα η λύση απο τα downloads, η οποία με μπερδεύει ..ενώ η άσκηση είναι  απλή.

Ευχαριστω

ποτε ακριβως παιρνω υβριδικο στα MOSFET?

Τι εννοεις; Ισοδυναμο;

ναι!

Κοιτα, μπορεις να το παρεις παντα. Απλα πολλες φορες δεν χρειαζεται. Αν εχεις ενα απλο κυκλωματακι, δεν χρειαζεται να αντικαταστησεις στο κυκλωμα σου το ισοδυναμο, πολλες φορες, για να βρεις το ζητουμενο. Αν εχεις πιο πολυπλοκο κυκλωμα, τοτε το αντικαθιστας. Εγω ετσι το βλεπω. Αλλα γενικα προτιμω τα ισοδυναμα γιατι καταλαβαινω καλυτερα το κυκλωμα.

ευχαριστώ πολύ vlad!

Παιδιά κάποιος ας ανεβάσει αύριο τα θέματα μετά την εξέτασή όποτε έχει χρόνο..Τthanks in advance

Αυτό απαγορεύεται. Αν πιάσω κάποιον να βγάζει φωτογραφία τα θέματα θα τον μηδενίσω.

Αμα πιασεις  ;)

(https://i.imgflip.com/jr4z8.jpg)

Μπορεις να ανεβασεις σε παρακαλω πολυ τα αυριανα θεματα;

(http://s2.quickmeme.com/img/38/38c3251c8015eda450d7cc075ac59f0bf8e06d970ea738a0b80768edfb518261.jpg)

Έχετε καμία απορία να την λύσουμε πριν πάω για ύπνο;

Μη βαλεις MOSFET ισοδυναμα plox

Δεν τα βάζω εγώ ευτυχώς  ;).

Γιατί σας αγχώνει το ισοδύναμο;
Είναι πολύ χρήσιμο εργαλείο.

Κάποιος τα σημερινά θέματα please??

Δεν άφησα κανέναν να τα βγάλει φωτογραφία. Δεν θα τα βρεις πουθενά

Οκ , τουλάχιστον αν μπορεί κάποιος  να τα περιγράψει ..( θεωρία και ασκήσεις )

Thanks

θεωρια στο πρωτο ενωση p-n,φραγμα τασης κτλπ περιγραφη και σχημα.
ασκηση πρωτη για διοδους. απο το αρχειο με τα παλια θεματα σελιδα 18 η ασκηση με τις τεσσερεις διοδους
ασκηση δευτερη δευτερη καθρεπτης Wilson σελιδα 53 με BJT
και ασκηση τριτη το ιδιο σχημα με fet (πολλα που ξερω παναθεμαμε)
θεωρεια δυστυχως δεν θυμαμαι για 2ο και 3ο θεμα.
πΧοιος ειναι αυτος ο λεο?

Εγω προσπαθησα αλλα το κινητο μου δεν τραβουσε.

Δεν με ξέρεις; Ήταν να έρθω σήμερα για επιτήρηση, αλλά λόγω μειωμένης προσέλευσης, ακύρωσα την εμφάνιση μου.


Τυχαίο; Δεν νομίζω. Εγώ τα έλεγα χθες.

Δεν ειχ την τιμή να σε γνωρίσω. Καθότι μεγαλύτερο έτος έχω χάσει επαφή.

Μεγαλύτερος από ποιον;

Leo, Η Καδη διορθωνει; Ακουστηκε ενα δυσοιωνο "Αυτα τα γραπτα μπορει ν'αργησουν". Τι ξερεις;

Αυτή τα διορθώνει. Αν είπε, ότι θα αργήσουν, τότε παιδιά είναι άσχημα τα πράγματα. Θέλει να ορκιστεί κάνεις;

Καποιο tip κανεις για γρηγορο διαβασμα για σεπτεμβρη?

Αφού διαβάσεις τα βασικά για BJT , FET k καθρέφτεςς ρεύματος από Sedra ,
πιάνεις ασκήσεις από εδώ (https://opencourses.auth.gr/courses/OCRS218) και τα λυμένα παλιά θέματα από τα downloads.

Επίσης άμα νομίζεις ότι έγραψες απο 7 και κάτω μην παραδόσεις γραπτό.
Δεν σας τρολλάρω, Η1 πρέπει να περνάτε όλοι με βαθμό.

Ο φίλτατος eceman ξέχασε να σου πει να διαβάσεις διόδους.

Στο θέμα 1ο του Ιαν του 2017  στο Β ερώτημα , που ρωτάει να επιλεγεί το πλήθος των διοδίων και η τιμή της R. μπορεί  κάποιος να δώσει την λύση?? προσπάθησα(δεν ξέρω αν είναι σωστή προσέγγιση)  βρίσκοντας την δυν .αντίσταση, μετά βγάζω μια σχέση με x rd kai R άγνωστους , μετά κολλάω..

Ευχαριστώ εκ των προτέρων.

Υπάρχει κάπου η λύση του θέματος 1 Σεπτ του 2014??

το προβλημα σου ειναι οτι εχεις παραπανω αγνωστους απ ο,τι εξισωσεις,σωστα?
εγω αυτο που εκανα την ωρα της εξετασης ηταν να πω "εστω n=4"(αν θυμαμαι καλα)και να βρω τα υπολοιπα ζητουμενα με βαση αυτο και μου το πηρε σωστο.(αν δεν κανω λαθος υπαρχει παρομοια στις λυμενες του βιβλιου)

Γενικά αυτό που θέλεις να φτιάξεις είναι ένα κύκλωμα ψαλιδισμού, έχει το βιβλίο όλες τις δυνατές περιπτώσεις. Τώρα για το κέρδος τάσης είναι Vou/Vin = R2/(R1+R2) (διαιρέτης τάσης). Το απόγευμα που θα είμαι σπιτι θα την ανεβάσω και γραπτά.

αυτό ακριβώς είναι το πρόβλημα μου..,  μπορώ να πάρω τούς τύπους Vout = x Vd?? kai απο το κύκλωμα IdR+xVd=Vin=10??  άλλα ετσι δεν θα χρησιμοποιησω τον τύπο τησ Rd??

αν καποιοσ την εχει ολοκληρωμενη ασ την ανεβασει please..

Mprizou ευχαριστω

Ευχαριστω πολυ!! , την περιμενω και γραπτα.)) ;)

Την επιλογη "n=4" την εκανες αυθαιρετα λογω του οτι στην εκφωνηση λεει "να επιλεγει το πληθος των απαιτουμενων διοδων";

οι εξισωσεις σου θα ναι αυτες οι 2 που ειπες και η χαρακτηριστικη της διοδου
και οι αγνωστοι σου το ρευμα ,το Vd , η R και ο αριθμος των διοδων
εφοσον λες χ=4 μπορεις απο τις 3 εξισωσεις σου να βρεις τους 3 αγνωστους σου :D

ναι την εκανα αυθαιρετα αλλιως δε βγαινει

Γενικά μπορείς να κάνεις οποιαδήποτε υποθεση για τον αριθμο των διόδων. Αλλα αν για παράδειγμα βάλεις πολύ λίγες θα έχεις μη επιτρεπτά μεγάλο ρεύμα ενώ άν βάλεις πολύ λίγες η δίοδοι θα βρίσκονται σε αποκοπή. Βέβαια στα θέματα που είναι στα downloads πρέπει να έχεις 5 διόδους ώστε να έχεις πτώση τάσης στην καθε μία 3.7/5 = 0,74V γιατί με 4 έχεις 0,925 V που οδηγεί σε πολύ μεγάλο ρεύμα. Αλλά έχω την εντύπωση ότι στην άλλη ομάδα θεμάτων ήθελε όντως 4 διόδους γιατί έδινε μικρότερη τάση αντί για την 3,7 V

Ορίστε οι λύσεις του Σεπτεμβρίου 14 και Ιανουαρίου 17. Γενικά δεν έχω θέμα να ανεβάζω λύσεις, ετσι κιαλλιως τα λύνω και για τον εαυτό μου αφού δίνω και εγώ. Αλλα καλό θα ήταν και εσύ και γενικά όποιος άλλος θέλει να τις δει να προσπαθήσει πρώτα μόνο.

Οι λύσεις πάντα είναι ενδεικτικες και δεν μπορώ να είμαι σίγουρος ότι είναι σωστές  ;).

Καλησπέρα, στα BJT έχει καταλάβει κάποιος στο π-ισοδύναμο ποιες αντιστάσεις βάζουμε; Στο βιβλίο έχει την ro (αν δίνεται η VA) και την rπ (που η Καδή και παλιά θέματα σπάνε σε rbb' και rb'e). Η rd που υπάρχει σε κάποιες λύσεις θεμάτων μπαίνει στο π-ισοδύναμο;! :o

Σεπτ 2013 (Α), θέμα 2 β) κανείς? Αμφιβάλλω για το κατά πόσο είναι σωστή η λύση στη συλλογή παλιών θεμάτων.

Στο τρίτο θέμα του Σεπτεμβρίου  2013 στο τέλος λέει για έλεγχο κορεσμού. Αυτό τον έλεγχο πως τον κάνουμε;

Είχα και εγώ ακριβώς την ίδια απορία και κάθησα το έψαξα λίγο. Αρχικά στο π-ισοδύναμο του χατζόπουλου η εξαρτημένη πηγή ρεύματος εξαρτάται πάντα από το i_b σε αντίθεση με αυτό του βιβλίου που η εξάρτηση μπορεί να είναι και από την u_be. Σχετικά με την r_ce του χατζόπουλου, πιστεύω ότι είναι η r_o του βιβλίου. Τώρα για την r_b'e έχουμε, r_b'e=(β+1)*r_d=(β+1)*nV_T/|I_E|=(β+1)*r_e=r_π. H r_bb' φαντάζομαι ότι είναι κάποια εσωτερική αντίσταση στη βάση. Αν κάποιος ξέρει κάτι παραπάνω για αυτό το τελευταίο ας μας δώσει τα φώτα του!!

Αν εννοείς πως ελέγχουμε ότι το κύκλωμα λειτουργεί ως καθρέπτης ρεύματος τότε η ελάχιστη τροφοδοσία είναι V_t+2V_ov (σελίδα 650 από το sedra, πάνω πάνω). Και μετά φαντάζομαι για την συγκεκριμένη τροφοδοσία βγάζεις την αντίστοιχη V_o

ευχαριστώ φίλε !!!  ;)

Ευχαριστώ πολύ  ;)

Kαλησπέρα και πάλι!. Μήπως έχει καταλήξει κάποιος στο τι σχέση έχουν τα MOSFET με τα JFET? :???:

Μηπως μπορει να εξηγησει καποιος γιατι κανει ετσι το π ισοδυναμο στο θεμα 2 Σεπτ 2013 ?
(απο pdf με λυσεις 2011-2015)

@ελιοτ ρε συ λυσεις ιαν17 παιζει να τις ανεβασες κομμενες καταλαθως ;;;;  :(

Μηπως υπαρχουν πουθενα τα θεματα ιουνιου '17?

Eγώ αυτό που καταλαβαίνω είναι: rd είναι ουσιαστικά η re, rce\\ro (κάπου στις σημειώσεις η σε κάτι ασκήσεις διευκρινίζεται αυτό κιόλας) απλά θεωρείς rce πολύ μεγάλη άρα ουσιαστικά μόνο ro λαμβάνεις και rb'e η rπ. Άρα η rd στο π ισοδύναμο δεν χρησιμοποιείται παρα μόνο για να βρείς rb'e. Όσον αφορά την rb'b, όπως είπε και ο Μr.Robot είναι μία επιπρόσθετη αντίσταση που δηλώνει την αντίσταση στην μεταλλική επαφή της βάσης (διαλέξεις Χατζό) - οπότε η rb'b είναι αντίσταση που το βιβλίο δεν την λέει καν.

Επίσης μια ερώτηση στο θέμα διόδων φλεβάρης του 16 που θέλει να κάνουμε κύκλωμα ψαλιδισμού μήπως είχε δώσει διευκρίνηση να θεωρήσει κανείς σταθερή την τάση στα άκρα της δίοδου; Γιατί αν όχι τότε στο πρώτο ερώτημα πώς θα περιορίσεις την vout αφού η σχέση που προκύπτει είναι αύξουσα(για θετικές vin και φθίνουσα για αρνητικές) αν κάνεις κλασσική διάταξη ψαλιδισμού;
Ευχαριστώ εκ των προτέρων

Σου λέει να είναι "θεωρητικά" από -3 ως 3V, και μετά ζητάει να σχεδιαστεί η συνάρτηση μεταφοράς με τις πραγματικές Vout που τελικά επιτυγχάνονται.
Οπότε από αυτό καταλαβαλινω ότι θα κάνουμε τη σχεδίαση σαν οι δίοδοι να ήταν ιδανικές με 0,5V, και μετά εκεί που το ζητάει θα λάβουμε υπόψη και την αντίσταση.

+1

Η rce πρέπει να είναι ή ίδια με την ro, αν δεις τα ισοδύναμα η μόνη αντίσταση που συνδέει τον εκπομπο (Ε) με το συλλέκτη (C) είναι η ro. Επίσης την rbb' την συνάντησα διαβάζοντας ηλεκτρονική 2 κάπου μέσα στο βιβλίο ως rx. Κατά τα άλλα έχεις απόλυτο δίκιο.

Ευχαριστώ για όλα τα σχόλια

Για το φετινό (Φεβρουάριος 2018) θέμα 1 τι κάνουμε με την ορθά πολωμένη δίοδο; Αν πούμε ότι το V_T μειώνεται κατά 2 mV ανά βαθμό κελσίου, από τα 26 mV που είναι στους 27 βαθμούς, στους 40 θα γίνει μηδέν! Αν από την άλλη πάρουμε ότι V_T = kT/q, τότε αυτό αντί να μειώνεται, αυξάνεται με την αύξηση της θερμοκρασίας! Επίσης, λαμβάνουμε υπόψη ότι το ανάστροφο ρεύμα διπλασιάζεται κάθε 10 βαθμούς κελσίου ή όχι; ^confused^

Δεν έχω ιδέα και όταν ρώτησα τον Χατζό για το δεύτερο μου είπε: τι χρειάζεσαι το ανάστροφο ρεύμα της ορθά πολωμένης διόδου!!! Όπως και να χει αυτο που παρατήρησα ήταν ότι αν δεν λάβεις υπ όψην την αύξηση του Is τότε κατέληγες σε μια V πολύ μεγάλη άρα άτοπο όταν αναμένεις να είναι μερικές εκατοντάδες mV οπότε απλά του έγραψα την διαδικασία χωρίς να βάλω νούμερα για το Vd2 :P .

Εγώ πήρα την δυναμική αντίσταση nV_T/I_D της διόδου που ηταν σε ορθή πόλωση και έκανα ανάλυση μικρού σήματος περίπου όπως στην δεύτερη άσκηση από εδ (https://opencourses.auth.gr/modules/document/index.php?course=OCRS218&openDir=/55ffc84a1wJS), δεν ξερω αν ειναι σωστο αλλα τα νούμερα ήταν λογικα  :D :D

Οκ, έχω μια ιδέα: τα -2mV ανά βαθμό Κελσίου είναι για τη VBE στα BJT, όχι για την Vt (άρα άσχετο). Αυτό που νομίζω ότι έπρεπε είναι να πέρναμε τον τύπο Vt = kT/q, και να λογαριάζαμε τον διπλασιασμό του ανάστροφου ρεύματος ανά 10 βαθμούς. Βέβαια, για το ρεύμα αυτό που θεώρησα εγώ είναι ότι θα το καθορίζει αποκλειστικά η ανάστροφα πολωμένη δίοδος (σαν πηγή ρεύματος) δηλαδή στους 40C είχαμε τετραπλάσιο ρεύμα και στους 0 υποτετραπλάσιο.

Αχιλλέα, πού πήρες τη μεταβολή της θερμοκρασίας; Στο Vt;

Το ρεύμα του κυκλώματος στους 40 ^oC θα είναι I_s' = 4 I_s οπότε η τάση στην δίοδο που είναι ορθά πολωμενη θα είναι 520 mV + ΔI_s * r_D

Ναι, οκ, εννοώ πήρες το Vt σταθερό ή διαφορετικό σε κάθε θερμοκρασία;

Καλή σκέψη για μεταβαλλομενο σήμα με μικρή μεταβολή σε σταθερή όμως θερμοκρασία, οπότε ακόμα και αν θεωρήσεις σχεδόν γραμμική τη χαρακτηριστική της διόδου για τη μεταβολή, αλλάζει η rd "κατά την διάρκεια της μεταβολής" :???:
Edit:Επισης θυμάται κανείς αν ζήταγε πηγη με p-Mos wilson η widlar γιατί μου φαίνεται ότι κάτι διάβασα λάθος...

Δεν υπολογισα ξανα rd για τις νεες θερμοκρασιες, και σταθερη να ηταν η θερμοκρασια αν αλλαξει το ρευμα αλλαζει η rd ομως εμεις την θεωρουμε σταθερη για να υπολογισουμε πχ αυτο το ρευμα.

Μα εχει και Vt μεσα ο τύπος δηλαδή για ίδιο ρεύμα πόλωσης έχεις άλλη rd σε άλλη θερμοκρασία..όπως και να χει ήταν λιγο ασαφές αυτό..σιγά 1 να πιάνει το πολύ :P

Το ρεύμα αλλλάζει σίγουρα. Νομίζω ότι θα άλλαζει λίγο και η Vt με τη θερμοκρασία αλλά ίσως να μπορεί να αγνοηθεί αυτό

Wildar ζήταγε, έχουν ανέβει τα θέματα και στα downloads

Παιδιά στα λυμένα του Σεπτέμβρη του '17, στην πρώτη άσκηση που ζητά σχέση Vo-Vi, είναι σωστή η λύση; Γιατί εγώ δεν μπορώ να βγάλω την ίδια σχέση όσο και αν προσπαθώ, εμένα μου φαίνεται πως έχουμε 3 εξισώσεις με 4 αγνώστους και η τελική σχέση που βγάζω είναι Vo=(Vi-0,6)/1,0125 και όχι *80.

ανέβασε τη λύση σου

θα ανεβουν λυσεις για τα θεματα του φετινου φλεβαρη  (ή εστω για το θεμα της διοδου) ;;

+1

και εγω τωρα που κοιταζω την ασκηση το ιδιο βγαζω

Στα BJT οταν ρωταει για την μεγιστη επιτρεπτη διακυμανση στην εξοδο παιρνουμε την διαφορα V_CQ - V_C,Sat ή την διαφορα V_CEQ - V_CE,Sat  ;

στο θεμα 13 στα λυμενα που χει τα δυο fet και ζηταει την ελαχιστη επιτρεπτη Vout πως τη βρισκει?

Στο γραπτό του Σεπτέμβρη του '13 στο θέμα 3, ξέρει κανένας πως μπορώ να υπολογίσω την Vds3 και την Vds2 ώστε να ελέγξω αν βρίσκονταί σε κορεσμό τα τρανζίστορ?

Έχει κανείς τις λύσεις του Φλεβάρη;

Μια απόπειρα λύσης για το θέμα Α

Το Vτ το έχεις 25 στους 20, 27 στους 40 και 23,5 στους 0.
Πώς το βρίσκεις;

Από τον τύπο Vt=T/11600, τον έχω σημειώσει στο πλάι

ok thanks έχεις δίκιο.
Εκεί που έχεις το κλάσμα είναι I/I40 και διώχνεις και τα Is. δεν μπορούμε να βάλλουμε στη θέση του I40 το 4I και να φύγουν κ αυτά;

Ναι βρε μπορούμε, απλά εγώ τα διώχνω στο τέλος

κάπου κάνω λάθος εγώ γτ βγάζω άλλα νούμερα.. :-\

Νομίζω έχεις δυσκολέψει πολύ τον εαυτό σου εδώ πέρα. Πέραν του ότι βρήκες μόνο την μεταβολή της τάσης της D2, έχεις χρησιμοποιήσει και τον δύσκολο τύπο αυτόν με το -1 στο τέλος για το ρεύμα της διόδου.

Απλά χρησιμοποιείς τον τύπο που σου δίνει σελίδα 150 τύπος 3.5 με την διαφορά τάσης, καθώς η τάξη μεγέθους είναι 10 φορές μεγαλύτερη, αφού έχουμε δίοδο μικρού ρεύματος και n=1, άρα ένα Is ~= 10^-15 Α και Ι = 1 μΑ = 10^-6 Α

Επίσης, αν δεν κάνω λάθος αυτό που λες για άνοδο της Is κάθε 5 βαθμούς Κελσίου, ισχύει για μία δίοδο στην περιοχή ανάστροφης πόλωσης (σελ 151 3.2.2 τελευταία παράγραφος) το οποίο θα ήταν βάσιμο για την D1, αλλά μας έχει δώσει ήδη από την εκφώνηση ότι είναι κάθε 10 βαθμούς κελσίου. Αλλά για την Δ2 δεν ισχύει καθώς είναι ορθά πολωμένη. Το μόνο που χρειάζεται να αλλάξει είναι το Vt και είναι κομπλέ.

Αν υπάρχει ένσταση σε κάτι από αυτά πες μου

edit: ο τύπος που χρησιμοποιείς για την αλλαγή θερμοκρασίας είναι σωστός μπερδεύτηκα εγώ. αλλά εκεί που λες ότι το Ι / Ι40 = Ις/8Ις
Νομίζω σου ξέφυγε κάτι.
Γιατί αν στο Δ1 κάθε 10 βαθμοί σημαίνει διπλασιασμός άρα το Ι40 είναι 2*2 = 4*Ι
Και στη Δ2 αν κάθε 5 βαθμούς έχουμε διπλασιασμό, τότε Ις40 είναι 2*2*2*2 = 16*Ις και συνολικά εκεί έχουμε Ι / Ι40 = Ις/4*Ις

Πέραν αυτού, όντως βρίσκεις μόνο την μεταβολή της τάσης (τα 66.17 mV δηλαδή)
Και πρέπει να την αφαιρέσεις από την αρχική τάση τα 530 mV για να βρεις την τάση στους 40

Για το θεμα 2 φεβρουαριου του 18 η λύση που υπάρχει στα λυμένα θέματα για αντιστοιχη ασκηση είναι σωστη?
Γιατι μου φαίνεται ότι υπολογίζει το κέρδος τάσης με διαφορετικο τρόπο από ότι στη θεωρεία

αν καποιος εχει λυμενο το θεμα με διοδους Σεπτεμβρη 2012 αν μπορει να  το ανεβασει γτ αυτο στις λυσεις μου φαινεται λαθος  :(

Θέμα Β Ιανουαρίου 18
Πώς επιβεβαιώνω ότι είναι στην ενεργό περιοχή?

δειχνεις οτι Vceq>Vcesat νομιζω

Ναι αλλα δεν δινει Vcesat ( αρα μαλλον την θεωρω 0), κι επισης σε τι χρησιμευει το Va σε αυτη την ασκηση?

η Vcesat ειναι 0,1-0,3 απο θεωρια οποτε το νουμερο που βγαινει σιγουρα την ξεπερναει
Την Va θα την χρησιμοποιησεις για να υπολογισεις την ro για το ισοδυναμο

st θεμα του ενισχυτη με BJT που ζηταει η ευθεια φορτου να ναι στη μεση στο ac οταν βρισκω κερδος τασης ο τυπος ειναι ο τυπος που υπαρχει στο φυλλαδιο στο κοινου συλλεκτη ?αν ναι γιατι στις λυσεις παιρνει τον A=-β(Rc/rin))Rin/(Rin+Rs)(RL/RL+Rc//ro)) ?????

Νομίζω είναι λάθος αυτό που κάνει. Και εγώ βρίσκω άλλα νούμερα.

Καμιά ιδέα για το 1ο θέμα Φεβρουαρίου του 2016; Την r1 την λαμβάνουμε υπ'όψη στο 1ο ερώτημα;

https://prnt.sc/mb5afa (https://prnt.sc/mb5afa)
Πως δικαιολογούμε οτι για Vin κοντά στο 0 άγουν ολες οι διοδοι;

στο σεπτεμβριο 2018 στο 2ο θεμα που λεει αντισταση εξοδου 10ΚΩ εννοει την αντισταση Rvs π ειναι διπλα στην πηγη;
και επισης την ταση συλλεκτη θα την βρω απο dc αναλυση η με την αc μεσω υβριδικου;

σημείωσα τις τάσεις. Νομίζω τώρα έγινε εμφανές

εχει καποιος λυση για το θεμα 2 σεπτεμβριου η ιανουαριου 2018?

Σε ενα  pdf 18 σελιδων υπαρχει λυση για τις διοδους σεπτεμβριος 2014..μπορει να εξηγησει καποιος τι κανει ο τυπας με τις πηγες τασεις? Γιατι νομιζω καπου το εχασε ο μαστορας

υπαρχει λυση για το θεμα πρωτο του ιανουαριου 2018?

καμιά βοήθεια για το πως λύνεται θεμα 1ο ιουνιου 2018 (/φεβρουαριου 16) ??

Σεπτέμβριος 2018 θέμα 3 (https://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item4227)
Τι κάνουμε σε αυτήν; Μήπως έχει κάποιο λάθος; Επειδή δεν βλέπω κάποια πόλωση στην πύλη και χρειάζεται το V_GS στο DC για να υπολογιστεί η g_m... Για την ακρίβεια, η V_GS είναι 0 στο συνεχές οπότε το κάτω transistor δεν άγει καν για μικρά σήματα...

Στα θέματα με nMos κασκοδικο καθρεφτη οσα εχω δει λυμενα αλλα και στις διαφανειες παιρνει τον τυπο Id=1/2*k'(W/L)*(Vgs-Vt)^2. Κανονικα δεν υπαρχει και στο τελος ενα *(1+Vds/Va); Αυτο γιατι δεν το βαζω; 

https://www.slideshare.net/reazadislam/solutions-of-sedra-and-smith
 (https://www.slideshare.net/reazadislam/solutions-of-sedra-and-smith)

σελ.69 υπαρχει αντιστοιχη ασκηση

θεμα σεπτεμβρης 2013 κασκοδικος με nMos..ζητα τα Vg2,Vg3 και στις λυσεις του τημμυ παιρνει Vg2=Vgs2 kai Vg3=Vgs4 +Vgs1.ΠΩΣ ΣΤΟ ΚΑΛΟ ΠΡΟΚΥΠΤΟΥΝ ΑΥΤΑ?

Καλη ερωτηση ο τυπας απλως πηρε. Copy paste λυσεις απο καπου αλλου τις "καθαρογραψε" και τις πλασαρει γοα συλλογη θεματων

και το Vg και το Vs είναι κοινά αν δεν κάνω λάθος. Οπότε τα παίρνει ίδια. Το άλλο δεν ξέρω.

Για το 2 αφου το S2 παει στην γειωση ειναι Vs2=0 αρα Vgs2=Vg2-Vs2=Vg2
Μετά Vg3=Vg4 αφού είναι βραχυκυκλωμένες οι πυλες και μετά βρίσκει το δυναμικό στο g4 μεχρι να φτασει στην γειωση δηλαδη Vg4=Vgs4 + Vds1 όμως το d1 ειναι βραχυκυκλωμενο με το g1 αρα Vd1=Vg1 και επομενως Vg4=Vgs4+Vgs1

τι κάνουμε στις ασκήσεις με μεταβολή θερμοκρασίας;

ιανουάριος 2018 θέμα 3 ερώτημα α (https://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item3904)

Τι εννόει "με χρήση χαρακτηριστικών εισόδου και εξόδου";

Για το θεμα 1 το περσινο εγραψα μια απαντηση αν θες στην δινω

Γιατί η Rin στην πρώτη εικόνα είναι έτσι όπως την βγάζει και δεν είναι όπως στην δεύτερη ?

Yep, θα βοηθούσε πολύ

μηπως επειδη για να χω καθρεφτη πρεπει να ναι κορεσμενα?και ο τυπος αλλαζει? ΕΠΙΣΗΣ,υπαρχει καπου συγκεντρωμενα ή αν καποιος ξερει και μπορει να τις πει τις συνθηκες για id,Vgs,Vds κλπ για να ναι κορεσμενο,γραμμικο,να μην αγει κλπ για το JFET,MOSFET,BJT ξεχωριστα ????ΘΑ ΒΟΗΘΟΥΣΕ ΠΟΛΥ!και τι αλλαζει αν ειναι nmos ή pmos

φαινόμενο early μπορούμε να αγνοήσουμε αν δεν το αναφέρει η άσκηση

sedra Smith σελίδα 266,275,318
Τα jfet είναι παρόμοια μόνο που το V_t λέγεται V_p

Η αποπειρα μου για το θεμα 1 ιανουαριου 2018
notes:
Δεν μπορεσα να αποκωδικοποιησω την πληροφορια περι μεγαλου αναστροφου ρευματος για την  D1
Για την v2  ακουγεται τρελο με αυξηση θερμοκρασιας να μειωνεται η ταση της,επομενως ισως αντι να παρετε νομο ρευματων για την v2 στους 40  ,να παρετε  διαιρεση κατα μελη οπως εκανα για το ρευμα του D1 θεωροντας οτι την διαρεει στους 40 βαθμους τετραπλασιο ρευμα απο οτι στους 20

Ξερει κανεις πως υπολογιζουμε την αντισταση r0 στα ισοδυναμα κυκλωματα των  διπολικων τρανζιστορ;(στο βιβλιο λεει οτι ειναι Va/Ic αλλα ποιο ειναι το δυναμικο Va;)

Είναι η τάση early και δίνεται για κάθε τρανζίστορ.

Επειδή είναι αρνητική, στον τύπο που γράφεις χρειάζεται να την βάλεις σε απόλυτη τιμή.

οταν λεει η ασκηση οτι μια διοδος εχει 10πλασια περιοχη επαφης απο μια αλλη αυτο τι σημαινει?

Τo I_S της είναι 10 φορές μεγαλύτερο

εχει λυσει κανεις το θεμα με τα mosfet ιουνιου 18?

Σημερα εβαλε πολυ δυσκολα θεματα

Άστα να πάνε. Το wildar με nmos το έκανε στις παραδόσεις; στο βιβλίο το έχει μόνο με bjt νομίζω (Ούτε θεωρία δεν έγραψα εν ολίγοις)

Τα έχει και τα 2 εδώ (https://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item2929).
Νομίζω ότι όσον αφορά τη διάταξη δε διαφέρουν.

η μαλακια ειναι οτι το θεμα 2 ειχε πεσει ολοιδιο σεπτεμβρη 17.. αλλα Α5 δεν επαιζε αντιγραφη  :'(

Η καδη παντως τα χαρακτηρησε δυσκολα..περιμενουμε επομενως αναλογη επιοικια..

θεματα 1 και 3 περιπου πως τα κανατε; αν δεν βαριεστε και θελετε πειτε μπας και επιβεβαιωσουμε καμια λυση :) 

ποια ομάδα;

Β, διαφορετικα ειχε; φανταζομαι θα ταν τα ιδια με αλλα νουμερα

Αστα τωρα μολις βγουν θα δουμε

για το θεμα ιουνιου του 18 υπαρχει πουθενα λυση για τα μοσφετ?

Η τελευταία άσκηση που έκανε η Καδή τον Ιανουάριιο ήταν η ίδια με άλλα νούμερα.
Η σημειώσεις δεν είναι και τέλειες... Καδή είναι αυτή.

Έχει λύσει κανείς το πρώτο θέμα του Ιανουαρίου 2019;

3.62 στα λυμένα του Σέντρα Σμιθ

Ιανουάριος 17 3ο θέμα υπάρχει πουθενά λύση;

Τσεκαρε εδω

Για το θεμα με τα μοσφετ του ιουνιου του 18 εχει κανεις ολοκληρωμενη λυση ? θα βοηθουσε ιδιαιτερα.

Έχω ανεβάσει τη λύση λίγο πιο πάνω... ίσως έχει κάποια κενά αλλά πιστεύω θα βοηθήσει

ναι την ειδα απλως στην δευτεροβαθμια που λεει Vds=5=Vgs1
αν το αντικαταστησουμε πως γινεται 2βαθμια εφοσον εχουμε Vgs1 και Vgs2?

αφού στον τελευταίο όρο μέσα στις αγκύλες το Vds2, το οποίο αντικαθιστούμε, είναι στο τετράγωνο

Σεπτέμβρης 2015 πρώτο θέμα διόδων. το έχει λύσει κανείς? Θέλω λίγο επεξήγηση και βοήθεια στο τι ακριβώς κάνουμε επειδή έχω χαωθεί με την φάση των διόδων και του κυκλωματικού κομματιού.

Ο Κασκοδικός καθρέπτης ρεύματος όπως εμφανίζεται στο θέμα 3ο Γενάρης 2017 υπάρχει κάπου στο Sendra?
Ευχαριστώ.

Αν ψάξεις στον σέντρα σμιθ έχει ίδια άσκηση στη σελίδα 227, άσκηση 3.62. Υπάρχουν οι λύσεις του σέντρα σμιθ ονλάιν, με απλό google search τα βρίσκεις, και νομίζω είναι ανεβασμένα και στην ηλεκτρονική 1 ή 2 στο ε τημμυ.

Θέμα 1ο Ιούνης 2018 λύση κανείς?

Εάν ανάμεσα στη πηγή εναλλασσόμενης τάσης και τη βάση τρανζίστορ bjt υπάρχει κάποια αντίσταση τότε στο λόγο της ενίσχυσης στη θέση του Vin βάζουμε τη τάση της πηγής ή την τάση στον κόμβο στη βάση??? 

Αν θυμάμαι καλά την είχα κι εγώ αυτή την απορία και κατέληξα στο εξής:
Αν ζητάει λόγο ενίσχυσης του τρανζίστορ Vin=Vb.
Αν ζητάει λόγο ενίσχυσης του ενισχυτή Vin=Vπηγής, διότι υποθέτουμε ότι η αντίσταση ανήκει στον ενισχυτή.

Στο υβριδικό π ενισχυτή με bjt ως αντίσταση εισόδου θεωρώ ότι βλέπω <<αριστeρά>> της  πηγής ρεύματος χωρίς να συμπεριλάβω τη Rs και ως αντίσταση εξόδου ότι βλέπω <<δεξιά>> της πηγής ρεύματος χωρίς να συμπεριλάβω την RL???

Οταν εχω nFET και μου λεει βρς την ενισχυση και το μετασχηματιζω σε π υβριδικο ισοδυναμο κυκλωμα και εχω σε παραλληλια Rds , Rs , Rl στην εξισωσει Vout = gm * Vgs (rds // rs) ειναι σωστη ή πρεπι να βαλω και την Rl?

οταν ζηταει ενισχυση τα βαζεις ολα μεσα οταν λεει Zout χωρις Rl

Για το Θεμα 1 Ιανουαριο 2019, παρολο που βρηκα τη λυση στο ιντερνετ, βρηκα και 2 διαφορετικες που δε συναδουν, και δεν τις καταλαβα. Μπορει καποιος να το εξηγησει;  :'(

Νομίζω ότι το καλύτερο που έχεις να κάνεις είναι να ακολουθήσεις τη λύση του Σέντρα.

Σε άλλα νέα, ξέρει κανείς τι είναι ο συντελεστής σταθερότητας της συνεχούς τάσης με τη θερμοκρασία που εμφανίζεται στο θέμα 2ο ερώτημα β του Σεπτεμβρίου του 2012? Αναγράφεται ως θVcq/θT

Βρηκες λυση τελικα? εγω σκεφτηκ να βάλω στην εξοσο μια δίοδο με μεταβολη οπως φένεται στη χαρακτηριστική της και για να αντισταθμίσω τη μεταβλή της να βάλω μια αντίστοιχη dc ταση αλλα με ένα γραμμικό πολλαπλασιαστή με ακριβώς την αντίθετη κλίση της διόδου...και έτσι όλονμαζί να δίνει διαρκώς 4...

στο 3ο θεμα του 2017, στα λυμενα θεματα, δεν πρεπει να βαλει την αντισταση 2MΩ παραλληλα στην vi? απλα επειδη ειναι πολυ μεγαλη και το ρευμα που διερχεται ειναι σχεδον μηδεν την παραλειπει?

Παιδιά στους ενισχυτές BJT για το π-υβριδιο θελουν την απλη η την Full εκδοχη του υβριδιου;

για την ηλεκτρονική ι την απλή θέλουν

ιανουαριιος 2020 το 1ο θεμα κανεις??

Νομίζω ήταν άσκηση του Βιβλίου , αλλα δεν το έχω αυτήν την στιγμή μαζί μου. Οι λύσεις του Sendra πάντος υπάρχουν online.

Ναι ευχαριστω το βρηκα....μηπως εχει κανεις και του ινουνιου 2018 αυτη με τα μοσφετ?? οποια λυση κι αν διαβασα δε βγαζω ακρη... δε καταλαβα γιατι παρινει τις εξισωσεις ρευματος....

Θεωρεί τα ρεύματα των πυλών  αμελητέα (μηδεν), άρα το ρέυμα πηγής  = ρεύμα εκροής σε κάθε τρανζίστορ , και επειδή το ρεύμα πηγής του ενός είναι ρεύμα εκροής του άλλου , έχουμε Id1=Id2 , παίρνουμε τον τύπο για τα Id κλπ κλπ. Έχει μια λύση του θέματος πιο πίσω σε αυτό το τόπικ, καθώς και στα downloads. Λογικά θα ναι κι αυτήν άσκηση του βιβλίου , ψάξ την αν θες , να δεις την λύση απο εκεί.
Για το θέμα 1 του Ιανουαρίου 2020 γράψε λίγο πια άσκηση του βιβλίου είναι για να ξέρουν και οι επόμενοι.

Εγώ βρήκα αυτή τη λύση για την άσκηση 3.37 στην 7η έκδοση (ξένη) Sedra-Smith (στην αντίστοιχη ελληνική είναι η άσκηση 4.39 σελ.236), η οποία είναι ίδια με το θέμα 1 του Ιανουαρίου 2020 αλλά με άλλα νούμερα.

δε καταλαβα ποια εκδοση εχεις παντως απο την πανεπηστημιακη εμενα ειναι η 3.43 στο κεφαλαιο των διοδων....ελαφρως παραλλαγμενη....αλλα και αυτο που ανεβασες παρομοιο ειναι. ...για το θεμα 3 του ιανουαριου 2019 χρησιμοποιησατε το διαγραμμα του αντιστροφέα CMOS? (sel.340 sendra)...πείσης εγω στο τελος βρηκα το κερδος αλλα δε καταλαβα που σρειαστηκε η πληροφορια uo_Vdd/2....any help??

Έχει δει κανείς το θέμα της Διόδου Ιούνιος 18;

Εφόσον από τη χαρακτηριστική βλέπουμε ότι η δίοδος δεν είναι ιδανική, πώς μπορούμε να είμαστε σίγουροι ότι η πτώση τάσης πάνω σε αυτήν θα παραμείνει σε κάποια τιμή και δεν θα φύγει αρκετά;

σε καθρεφτη ρευματος, ποτε λεμε οτι τα τρανζιστορ ταιριαζουν?

Όταν είναι ίδια

οκ, ευχαριστω πολυ!

Υπάρχει πουθενά το υπόλοιπο pdf με τα fet transistor?

Αναφέρομαι στο αρχείο αυτό: https://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item2743 (https://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item2743)

Το υπόλοιπο pdf δεν έγινε ποτέ , το παιδί που το κανε γράφει για διευκρίνηση αν βρεθεί κάποιος που να λύσει τις ασκήσεις με τα mosfet θα ήταν καλό να προστεθούν στο αρχείο.
Υπάρχει άλλο αρχείο ποιο πρόσφατο που είναι χειρόγραφο και χει θέματα απο το 2010-2019 έχει και mosfet μέσα.

Απλώς το συγκεκριμένο μου φαίνεται σωστά γραμμένο. Με επεξηγήσεις και καθαρά σχήματα και έτσι ήθελα τη συνέχεια! Αλλά αφού δεν υπάρχει κρίμα!

Όσοι δίνουν σήμερα, ας ανεβάσουν μετά τις ασκήσεις που τους ζητήθηκαν και γενικά αν μπορούν να γράψουν και για τη θεωρία λίγο, να ξέρουμε τι να περιμένουμε την Πέμπτη εμείς  8))

+1
Σώστε κόσμο :D

Παιδια μοσφετ ιουνιου του 2018, αυτη η περιβοητη ειναι η μονη που δεν καταφερα να καταλαβω πως βγαινει....οι λυσεις που ανεβηκαν εχουν κενα και κατι ακυρα που δεν καταλβαινω πως βγαινουν....οποιος την εχει λυσει ας ανεβασει μια ολοκληρωμενη προταση πλιζ!!!

Σε BJT, σε κορεσμό, γιατί παίρνουμε ότι Ie = Ic?

μαλλον θα λεει οτι παραλειπεται το Ιβ

Θεωρούμε ότι το α ε
Αν το β είναι αρκετά μεγάλο, συνήθως 100+ στις ασκήσεις που μελετάμε , α=β/(β+1) , παίρνεις α=1 (περίπου) , οπότε έχεις Ie=Ic

Μα στον κορεσμό το β πέφτει πολύ στον κορεσμό, φτάνει 2-3

Σε ασκήσεις τουλάχιστον της Η ΙΙ το δίνε το β που ήταν κάπου εκεί 100+, στην Η Ι δεν πολυ θυμάμαι τι γίνονταν :D
edit1 Και Η Ι τώρα που άνοιξα τυχαία κάποια θέματα έδινε β=100.
edit2 το β είναι χαρακτηριστικό μέγεθος του τρανζίστορ δεν αλλάζει , πας στο μαγαζι και ζητάς ένα bjt με β τόσο.

Όλα αυτά που λες ισχύουν στην περιοχή μετά τον κορεσμό. Στον κορεσμό στα bjt το β αλλάζει, δες αν θες Sendra Smith παράδειγμα 6.5 σελ 337, όπου στον κορεσμό το β από 50 γίνεται 1.5

Οριστε φρεντς  ;D

Από θεωρία ρωτήθηκε τίποτα περίεργο, που δεν ανήκει στις ενδεικτικές;

Παιδία η λύση Ιανουαρίου 2019 που υπάρχει στα Downloads για τον ενισχυτή bootstrap είναι σωστή;;;;;;;

Μόλις τελειώσα εγώ. Οι ερωτήσεις θεωρίας που έγιναν στο γκρουπ μου ήταν πάνω κάτω αυτες:

-Σχεδιασμός χαρακτηριστικής διόδου και ευθείας φορτίου
-Κλίση ευθείας φορτίου και γενικά σχολιασμός του διαγράμματος (τι δείχνουν οι άξονες της χαρακτηριστικής, τι είναι το Q κτλ)
-Περιγραφή μονοπολικών και διπολικών τρανζίστορ και διαφορές αυτών
-Τι είναι το ενεργό φορτίο
-Τι είναι καθρέφτης ρεύματος

νομίζω υπήρχαν καμιά δύο ακόμα, αλλά αυτή είναι η γενική ιδέα.

Η άσκηση ήταν ακριβώς η ίδια με Θέμα 3 Ιανουάριος 17 (ενισχυτής MOS)

Καλή επιτυχία στους επόμενους!

Έχουμε καμιά ερώτηση από αίθουσα 4;

Αίθουσα 2

Θεωρία:
-Πλεονεκτήματα και μειονεκτήματα καθρέφτη Wilson
-Τάση Early σε BJT
-Θερμική Τάση
-Διαφορές MOSFET-BJT
-Ενεργό φορτίο σε ενισχυτή με MOS

Άσκηση: Θέμα 2 Ιανουάριος '17

Αίθουσα 4

Θεωρία:
1) Κέρδος ενισχυτή κοινής εκροής (ουσιαστικά ζητούσε να αναφέρουμε ότι είναι θετικό και μικρότερο της μονάδας)
2) Να αναφέρουμε πώς είναι πολωμένες οι επαφές BC, BE σε BJT που λειτουργεί σε ενισχυτή
3) Να αναφερθούμε στο φαινόμενο διάσπασης επαφής pn
4) Να αναφέρουμε τι είδους MOSFET χρειάζεται σε καθρέπτη προκειμένου να έχουμε απορρόφηση ή παροχή ρεύματος
5) Να αναφέρουμε από ποιες παραμέτρους εξαρτάται η επιλογή του σημείου πόλωσης Q ενός BJT

Άσκηση: Ιανουάριος 17, θέμα 2

 Οι διαφορές MOS-BJT ποιες είναι ξέρουμε?

 πηγαινε στις διαφανειες του Χατζο στην 05 με τα bjt σελ 12 έχει ενα πινακάκι

 Eυχαριστώ. Να σαι καλά!

Σε εμενα χθες έπεσε το θεμα με ενισχυτή κοινού εκπομπού (ζητάει R1 R2 Re Rc και να πεις αν λειτουργει στην γραμμική περιοχή)  που ειναι σελ 12 στο pdf με τα θέματα απο το 10-19 και ρώτησε για mos σχημα πως είναι το n-mos, γιατι το λενε έτσι,  διαφορές mos πυκνωσης με mos αραιωσης και τελος διαμόρφωση μηκους καναλιού σε nmos πυκνωσης.

υπάρχουν κάπου λύσεις για τον Ιανουάριο του 17;;

Όποιος θυμάται ερωτήσεις Καδή στα προφορικά, ας τις γράψει να προσανατολιστούμε λίγο.

Υπάρχει η λύση μέσα σε αυτό (https://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item4972) το αρχείο.

Από όσο θυμάμαι για ερώτησεις θεωρίας σημέρα ρωτήσανε:
1)Πώς υπολογίζεται η θερμική τάση (τύπος) επαφής p-n και
ποια είναι η τιμή της σε θερμοκρασία δωματίου;
2)Με την αύξηση της θερμοκρασίας η χαρακτηριστική της
διόδου μετακινείται προς τα αριστερά ή δεξιά;
3)Τι ονομάζουμε ευθεία φορτίου σε κύκλωμα με δίοδο; Ποια
είναι η έκφραση της για κύκλωμα με μια δίοδο, μια αντίσταση
R και μια πηγή τάσης Vs; Έχει θετική ή αρνητική κλίση;
4)Ποια είναι η επίδραση της θερμοκρασίας στη λειτουργία
των ΜΟS;
Και ακόμια 1 ερώτηση που δε θυμάμαι.
Επίσης η άσκηση ήταν το θέμα 1 Φεβρουαρίου 2019.

Στην ομάδα μου ρωτήθηκαν:
1) Μέθοδοι διάσπασης (ή κάτι τέτοιο) που δεν ξέραμε τίποτα και απαντούσαν όλοι στην τύχη
2) Τάση early
3) Χαρακτηριστικά FET
4) Διαφορά MOS πύκνωσης-αραίωσης
5) Χωρητικότητες C_d C_t

Άσκηση Θ1 Ιανουάριος '17

α) Τι είδους MOSFET χρειαζόμαστε σε καθρέφτη προκειμένου να έχουμε απορρόφηση ή παροχή ρεύματος;
β) Μεθοδοι διάσπασης
γ) Διαφορά MOS πύκνωσης και αραίωσης
δ) Διαμόρφωση μήκους καναλιού σε nmos πύκνωσης

Κάποια βοήθεια εδω?

a) Για παροχή ρεύματος χρησιμοποιούμε τρανζίστορ p-MOS, το οποίο στέλνει ρεύμα σε ένα φορτίο,
για απορρόφηση ρεύματος χρησιμοποιούμε n-MOS.

b)
γ) Δεν γνωρίζω.

d)
Η α υπάρχει εδώ (https://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item5483) .
Την β και δ τις βρήκα εδώ (https://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item3027) .

Σε ευχαριστώ Τομ.

 Για πείτε ρε παιδιά όσοι δώσατε σήμερα τι σας ρώτησε, καθώς και ποια θέματα πέσανε

ρε παιδιά στην ερώτηση πόσοι και τι είδους ενισχυτές υπάρχουν και τι ενισχύει ο καθένας τι απαντάμε?

Κουλή την βλέπω την ερώτηση, δεν βλέπω να απάνταει κάνενας, οπότε ας πω, διάφορους ενισχητές που ξέρω, ενισχυτής μιας βαθμίδας με mos ή bjt, (κοινής βάσης, εκπομπού, κοινού συλλέκτη κλπ) ενισχυέι τάση ή ρεύμα αντίστοιχα, διβάθμιοι και πολυβάθμιοι ενισχυτές, διαφορικός ενισχυτής με mos ή bjt , ενισχυει την διαφορά των δύο εισόδων (τάση ή ρέυμα αντίστοιχα), τελεστικοί ενισχυτές, ενισχυτές απομόνωσης, ενισχητές μέτρησης. Θα σου φαίνονται κουλά γιατί θα τα κάνεις σε επόμενα εξάμηνα κάποια αυτά.

Εμένα αν με ρωτούσε κάτι τέτοιο θα έλεγα αυτο:
Σε MOS: ενισχυτής κοινής πηγής, ενισχυτής κοινής πύλης, ενισχυτής κοινής υποδοχής(ακόλουθος πηγής).
Σε BJT: Ενισχυτής κοινού εκπομπού, ενισχυτής κοινής βάσης, ενισχυτής κοινού συλλέκτη(ακόλουθος εκπομπού).
Τώρα τι ενισχύουν δεν γνωρίζω.

Αυτά στην Ηλεκτρονική ΙΙ δεν ήταν; Λογικά θα θέλει τους τρεις ενισχυτές common gate, common source, common drain και τους αντίστοιχους στα BJT. Και τι ενισχύει ο καθένας (ρεύμα/τάση), δεν τα θυμάμαι ακριβώς τώρα αλλά κάπου υπάρχουν σίγουρα.

Πήρα σβάρνα όλες τις ηλεκρονικές.  ;D ;D ;D

Αυτά που λές μάλλον ζητάει.

Καθρεφτης ρευματος τι ειναι;

μπορεί να άργησα αλλά το έχει στο  βιβλίο σελ. 28

• ενισχυτής τάσης
• ενισχυτής ρεύματος
• ενισχυτής διαγωγιμότητας
• ενισχυτής διαντίστασης

τι κάνουν ακρίβως δεν ξέρω

edit:
αν  και οντως στις παρουσιασεις εχει τους

• Ενισχυτής κοινής πηγής
• Ενισχυτής κοινής πύλης
• Ενισχυτής κοινής εκροής

όπως είπαν από πανω άρα μάλλον αυτούς θέλει

Πως λύνετε ρε παιδιά αυτήν η άσκηση? Η αναλυσή μου είναι σωστή αλλά έχω πολλούς αγνώστους...

DC Analysis:
----------------
Αν γνώριζα το Vb και το Ic, τότε βρήσκω και το Ve και την Re.
Στην συνέχεια αν γνώριζα το Ir1 και Ir2 θα έβρισκα και την R1, R2.

AC Analysis:
----------------
Τέλος γνωρίζοντας το gain Αν (που μου το δίνει) θα έβρησκα και την Rc.

(https://i.ibb.co/wcf2TNH/1644169602626.jpg)

(https://i.ibb.co/gtyfk4k/1644169639330.jpg)

Υπάρχουν όλα τα θέματα λυμένα εδώ https://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item4972
σελ 12. θα βρεις την λύση.
καθώς και σε άλλα αρχεία στα downloads.
τυχερός είσαι η άσκηση ήταν στα θέματα που έδινα εγώ κάποτε, και την θυμόμουν.

Επίσης δες και αυτό (https://www.thmmy.gr/smf/index.php?action=tpmod;dl=item6054) το αρχείο. Είναι με τις ασκήσεις όπως τις είχε λύσει πέρσι η Καδή. Οι περισσότερες από αυτές είναι από τα παλιά θέματα.

Έλυσα το κατασκευαστικό θέμα του Σεπτέμβρη 2021 θέμα 4. Την λύση την ανάβεσα στα downloads της ηλεκτρονικής αλλά μέχρι να γίνει approve το κάνω post και εδώ στα attachments.

Πείτε μου γνώμες. Επίσης στα attachments θα βάλω το LTspice αρχείο για όποιον θέλει να δει ότι όντως δουλεύει.

(Δεξί κλικ -> άνοιγμα σε νέα καρτέλα , για να την δείτε με καλύτερη ανάλυση)
(https://i.ibb.co/j6fbQjS/sim.jpg)

Καλά ε τα δίνει η άσκηση τι μλκσ είμαι χαχα.
(https://i.postimg.cc/q78hrJ19/Capture.jpg)

Θέματα για Σεπτ 22 (Ομάδα Α)

Θέμα 1 -> Σεπτ 15 Θέμα 1
Θέμα 2 -> Ιαν 18 Θέμα 3
Θέμα 3 Θεωρία
      MOSFET Δίαυλου p (Δίαυλο κάτω από το μονωτικό)
      Ενωση  p-n
      Widlar με BJT
     

Αφήνω αυτά εδώ. Αν δεν ανέβουν στα Downloads τα θέματα.

Edit: Ορθογραφικό

Υπάρχει κάπου η λύση από το θέμα 1 Φεβρουάριος 2022;

Αυτό είναι ίδιο με του Φεβ 2020? (αν ναι σίγουρα κάπου υπάρχει, πες μου να σε βοηθήσω στο ψάξιμο αν είναι) Παίζει ναι και άσκηση του βιβλιου.

Ναι ακριβώς το ίδιο, έχω ψάξει όλες τις συλλογές θεμάτων μάλλον είναι άσκηση του βιβλίου.

Μόλις το βρήκα στο βιβλίο κεφάλαιο τρια άσκηση 43 (εχω την πέμπτη έκδοση)

Υπάρχει και το λυσσάρι του βιβλιου κάπου να ξέρετε (νομιζω το χει και στο elearning?)

Ε, πείτε καμιά κουβέντα για το πώς λύνονταν ρε. Έχω άγχος  :P